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公开(公告)号：CN112374912A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011267391.5
申请日：2020-11-13
Applicant: 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司 , 南昌大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开一种碳化硅涂层石墨基座的制备方法，该制备方法包括以下步骤：对石墨基座进行预处理，然后置于石墨分流盘上；进行CVR沉积：将高纯Si粉末和高纯SiO2粉末混合，置于真空炉中，对真空炉进行抽真空处理并在氩气氛围中升温至1850‑2050℃，保温反应2‑4h，在石墨基座表面生成SiC基体层；进行CVD沉积：将真空炉炉温降至1050‑1200℃，然后通入CH3SiCl3‑H2‑Ar反应气源体系，保温反应10‑30h，在步骤S2所形成的SiC基体层上形成SiC外层；使用本发明的制备方法所得碳化硅涂层与石墨基座结合紧密，无明显分层以及涂层高纯、高致密，从而提高石墨基座的抗热震性能。
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