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发明公开
一种半导体器件的宽能谱中子位移损伤确定方法及装置审中-实审

公开(公告)号：CN118130994A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410277931.X

申请日：2024-03-12

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张鸿 , 雷志锋 , 马腾 , 彭超 , 张战刚 , 何玉娟 , 肖庆中

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的宽能谱中子位移损伤确定方法及装置，该方法包括：获取宽能谱中子辐照后的待确定半导体器件的各初级移位原子的动能、原子序数和质量数，以及待确定半导体器件的原子序数和质量数；根据各初级移位原子的动能、各初级移位原子的原子序数、各初级移位原子的质量数、待确定半导体器件的原子序数和待确定半导体器件的质量数，确定各初级移位原子的反冲平均位移能量损失；根据各初级移位原子的反冲平均位移能量损失和动能，确定待确定半导体器件的宽能谱中子位移损伤。通过本申请的方法，能够避免开展半导体器件的高通量中子辐照试验，缩短了半导体器件的宽能谱中子位移损伤确定时长。

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