公开(公告)号：CN101777615A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010018325.4

申请日：2010-01-13

Applicant: 南京大学 ,  南京大学扬州光电研究院

Inventor： 张荣 ,  陈鹏 ,  谢自力 ,  施毅 ,  刘斌 ,  刘荣海 ,  于治国 ,  江若琏 ,  韩平 ,  修向前 ,  郑有炓

IPC: H01L33/22

Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；c.继续加电压至60～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面，在GaN层表面形成多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构，使GaN-空气界面的光传播随机化，最大程度减少了界面全反射，极大地提高了光引出效率。

公开(公告)号：CN103715071A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310617266.6

申请日：2013-11-29

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐峰 ,  陈鹏 ,  谭崇斌 ,  徐洲 ,  张琳 ,  吴真龙 ,  高峰 ,  徐兆青 ,  邵勇 ,  王栾井 ,  宋雪云

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/32

Abstract: 一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法，属于半导体技术领域。通过金属有机物化学气相淀积MOCVD外延技术，以交替匹配生长原子层级厚度的三元合金铟镓氮（InGaN）和铝镓氮（AlGaN）材料的方法形成铝铟镓氮四元合金薄膜材料。采用以上工艺制备成的AlInGaN四元合金薄膜材料达到以下参数指标：①X射线衍射谱XRD（002）对称面的半峰高宽

公开(公告)号：CN103025000A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210492583.5

申请日：2012-11-28

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 夏群 ,  陈鹏 ,  谭崇斌 ,  徐洲 ,  张琳 ,  吴真龙 ,  徐峰 ,  高峰 ,  徐兆青 ,  邵勇 ,  王栾井 ,  宋雪云

IPC: H05B37/02

Abstract: 一种基于PWM的LED调光控制系统，涉及LED的区域性照明控制技术领域，包括一个PWM无线调光控制器、2～10个分别从所述PWM调光控制器接收无线信号的PWM无线信号接收单元，在各个PWM无线信号接收单元的信号输出端分别连接一个PWM调光恒流驱动电源，在各个PWM调光恒流驱动电源的恒流输出端分别连接一组LED照明单元。本发明更适合于家居或小型办公环境中各个功能区域的照明需求实现统一控制，通过单一的所述调光控制器可以同时控制调节2-10组所述LED照明单元，调节范围为0-100%，同时可实现对多个小范围空间内光环境的照度、色温的调节和不同照明单元组合明暗组合的切换。

公开(公告)号：CN103022309A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210492585.4

申请日：2012-11-28

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐兆青 ,  陈鹏 ,  谭崇斌 ,  徐洲 ,  张琳 ,  吴真龙 ,  徐峰 ,  高峰 ,  夏群 ,  邵勇 ,  王栾井 ,  宋雪云

IPC: H01L33/44

Abstract: 一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，属于半导体技术领域，先在GaN基材料表面上制备光刻胶几何图形掩膜层，再蒸镀遮光层，行Lift-off处理后，经丙酮和无水乙醇浸泡、去离子水冲洗干净、烘烤；再在GaN基上涂布负型聚酰亚胺薄膜、烘烤、曝光、显影、定影，得到聚酰亚胺的微图形；然后对聚酰亚胺的微图形进行低温固化，去除GaN基上的残余金属遮光层后，再对聚酰亚胺的微图形进行高温固化。用此聚酰亚胺图形充当GaN芯片的表面保护膜、层间绝缘膜、深沟槽填充物，尤其能够解决多芯片组件的表面平坦化的问题。

公开(公告)号：CN103021835A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210492636.3

申请日：2012-11-28

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐洲 ,  陈鹏 ,  谭崇斌 ,  徐兆青 ,  张琳 ,  吴真龙 ,  徐峰 ,  高峰 ,  夏群 ,  邵勇 ,  王栾井 ,  宋雪云

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一种干法刻蚀GaN基材料形成倾斜侧壁的方法，属于半导体技术领域。先对被刻蚀的GaN基样片进行清洗、烘干，去除表面水汽，再采用可以形成厚膜的光刻胶，在GaN基样片表面制作厚度为1μm～100μm、在干法刻蚀过程中可以逐渐膨胀，使掩蔽区域外扩的具有流动性的掩蔽层，然后对GaN基样片进行干法刻蚀，形成倾斜侧壁，最后，将刻蚀后的GaN基样片放入去胶液中去除残留掩蔽层，再依次采用丙酮、无水乙醇进行超声清洗，最后用去离子水漂洗，氮气吹干。本发明具有工艺简单、可控性强、可重复性高的优点。

公开(公告)号：CN102522467A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201210000329.9

申请日：2012-01-04

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 陈鹏 ,  王栾井 ,  宋雪云 ,  谭崇斌 ,  徐峰 ,  徐洲 ,  吴真龙 ,  高峰 ,  邵勇

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种蓝宝石衬底上亚微米级的图形的制备方法，属于半导体技术领域，先在蓝宝石衬底上淀积光刻胶粘附层，然后经光刻、蒸镀，再将蓝宝石衬底于丙酮中超声处理，采用去离子水冲洗干净；再采用感应耦合等离子体干法刻蚀蓝宝石衬底后放入盐酸水溶液中进行加热超声去除金属掩膜层，经去离子水冲洗，再放入稀释的氢氟酸中，或者加热的磷酸溶液中去除光刻胶粘附层；最后将衬底放入丙酮、酒精中进行超声处理，再用去离子水冲洗干净。本发明制作成本低，易操作，成品率高，可用于低位错密度、高晶体质量氮化物的外延生长，可作为生产具有更高出光效率的氮化物半导体发光二极管的衬底材料。