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公开(公告)号：CN102110592A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010568673.9
申请日：2010-12-02
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L21/02
Abstract: 用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法，属于半导体技术领域，本发明先在蓝宝石衬底上利用光刻技术制备光刻图形，再利用真空蒸镀设备在蓝宝石衬底上蒸镀多层金属结构A/Ni/B/Ni/C/Ni……作为刻蚀蓝宝石衬底的掩膜层，然后将蓝宝石衬底放入与所用光刻胶相对应的去胶剂中，进行光刻胶剥离工艺，完成金属掩膜结构的制备。制成的半成品——具有金属掩膜结构的蓝宝石衬底可以满足对蓝宝石衬底进行各种深度尺寸的干法刻蚀的工艺需求，可通过干法刻蚀技术进行表面加工。
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