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公开(公告)号：CN109920876A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910066111.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L31/108 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 一种高响应紫外探测器的制作方法，属于半导体器件制备技术领域，本发明通过在GaN籽晶层上形成具有条形或十字形沟槽窗口的掩膜层，并控制生长掩膜沿指定晶向排列，然后利用MOCVD选择性横向外延工艺获得低缺陷密度的半极性晶面AlxGa1-xN材料，最后在AlxGa1-xN材料表面制备金属叉指结构电极形成肖特基接触，从而实现高响应紫外探测器。
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