公开(公告)号：CN103715315A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310617228.0

申请日：2013-11-29

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐兆青 ,  陈鹏 ,  谭崇斌 ,  徐洲 ,  张琳 ,  吴真龙 ,  徐峰 ,  高峰 ,  夏群 ,  邵勇 ,  王栾井 ,  宋雪云

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066

Abstract: 一种金属反射镜电极高压LED芯片的制备方法，属于半导体照明技术领域，在衬底的GaN基材料上阵列式布置的若干个电性隔离的微晶粒、制备出N台阶、淀积透明绝缘层、制备出P电极和N电极，用于制备P电极的金属蒸镀层覆盖至绝缘层的边缘和微晶粒的侧面；在Si基板上淀积绝缘层，并在绝缘层上蒸镀金属连线及用来倒装键合的凸点；将制得的GaN芯片倒装在以上Si基板上，其中阵列式布置的微晶粒与Si基板上的金属连线和凸点电性连接。本发明的P电极既具有电极功能，又具有反射镜的功能，因此采用在透明的绝缘层上进行的P电极上蒸镀的金属面积需要做到尽量大，可使金属反射镜面积可达到芯片发光面积的90%以上。

公开(公告)号：CN103715071B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310617266.6

申请日：2013-11-29

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐峰 ,  陈鹏 ,  谭崇斌 ,  徐洲 ,  张琳 ,  吴真龙 ,  高峰 ,  徐兆青 ,  邵勇 ,  王栾井 ,  宋雪云

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/32

Abstract: 一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法，属于半导体技术领域。通过金属有机物化学气相淀积MOCVD外延技术，以交替匹配生长原子层级厚度的三元合金铟镓氮（InGaN）和铝镓氮（AlGaN）材料的方法形成铝铟镓氮四元合金薄膜材料。采用以上工艺制备成的AlInGaN四元合金薄膜材料达到以下参数指标：①X射线衍射谱XRD（002）对称面的半峰高宽

公开(公告)号：CN103022309B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210492585.4

申请日：2012-11-28

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐兆青 ,  陈鹏 ,  谭崇斌 ,  徐洲 ,  张琳 ,  吴真龙 ,  徐峰 ,  高峰 ,  夏群 ,  邵勇 ,  王栾井 ,  宋雪云

IPC: H01L33/44

Abstract: 一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，属于半导体技术领域，先在GaN基材料表面上制备光刻胶几何图形掩膜层，再蒸镀遮光层，行Lift-off处理后，经丙酮和无水乙醇浸泡、去离子水冲洗干净、烘烤；再在GaN基上涂布负型聚酰亚胺薄膜、烘烤、曝光、显影、定影，得到聚酰亚胺的微图形；然后对聚酰亚胺的微图形进行低温固化，去除GaN基上的残余金属遮光层后，再对聚酰亚胺的微图形进行高温固化。用此聚酰亚胺图形充当GaN芯片的表面保护膜、层间绝缘膜、深沟槽填充物，尤其能够解决多芯片组件的表面平坦化的问题。