公开(公告)号：CN103715071B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310617266.6

申请日：2013-11-29

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐峰 ,  陈鹏 ,  谭崇斌 ,  徐洲 ,  张琳 ,  吴真龙 ,  高峰 ,  徐兆青 ,  邵勇 ,  王栾井 ,  宋雪云

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/32

Abstract: 一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法，属于半导体技术领域。通过金属有机物化学气相淀积MOCVD外延技术，以交替匹配生长原子层级厚度的三元合金铟镓氮（InGaN）和铝镓氮（AlGaN）材料的方法形成铝铟镓氮四元合金薄膜材料。采用以上工艺制备成的AlInGaN四元合金薄膜材料达到以下参数指标：①X射线衍射谱XRD（002）对称面的半峰高宽

公开(公告)号：CN103022309B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210492585.4

申请日：2012-11-28

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 徐兆青 ,  陈鹏 ,  谭崇斌 ,  徐洲 ,  张琳 ,  吴真龙 ,  徐峰 ,  高峰 ,  夏群 ,  邵勇 ,  王栾井 ,  宋雪云

IPC: H01L33/44

Abstract: 一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，属于半导体技术领域，先在GaN基材料表面上制备光刻胶几何图形掩膜层，再蒸镀遮光层，行Lift-off处理后，经丙酮和无水乙醇浸泡、去离子水冲洗干净、烘烤；再在GaN基上涂布负型聚酰亚胺薄膜、烘烤、曝光、显影、定影，得到聚酰亚胺的微图形；然后对聚酰亚胺的微图形进行低温固化，去除GaN基上的残余金属遮光层后，再对聚酰亚胺的微图形进行高温固化。用此聚酰亚胺图形充当GaN芯片的表面保护膜、层间绝缘膜、深沟槽填充物，尤其能够解决多芯片组件的表面平坦化的问题。

公开(公告)号：CN102110592A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010568673.9

申请日：2010-12-02

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 陈鹏 ,  王栾井 ,  宋雪云 ,  谭崇斌 ,  徐峰 ,  徐洲 ,  吴真龙 ,  高峰

IPC: H01L21/02

Abstract: 用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法，属于半导体技术领域，本发明先在蓝宝石衬底上利用光刻技术制备光刻图形，再利用真空蒸镀设备在蓝宝石衬底上蒸镀多层金属结构A/Ni/B/Ni/C/Ni……作为刻蚀蓝宝石衬底的掩膜层，然后将蓝宝石衬底放入与所用光刻胶相对应的去胶剂中，进行光刻胶剥离工艺，完成金属掩膜结构的制备。制成的半成品——具有金属掩膜结构的蓝宝石衬底可以满足对蓝宝石衬底进行各种深度尺寸的干法刻蚀的工艺需求，可通过干法刻蚀技术进行表面加工。