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公开(公告)号：CN106847907A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710003455.2
申请日：2017-01-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种基于光调控的垂直自旋场效应晶体管，中间层为非磁性半导体层，非磁性半导体层上下均为铁磁性材料薄膜；所述的非磁性半导体层为砷化镓基片，铁磁性材料薄膜上引出电极；铁磁性材料薄膜采取具有垂直磁各向异性的铁磁性薄膜，用来产生垂直方向自旋的电子；铁磁性材料薄膜采用非晶铁磁性材料CoFeB薄膜，厚度为1‑2nm，通过MgO和Ta的界面效应来诱导出垂直磁各向异性。利用光产生的电子子旋方向与铁磁层自旋方向平行使，电阻最小产生电流最大，反之光生自旋电子自旋方向与铁磁性金属的自旋方向相反时，电阻最大产生电流最小。利用光学方法控制垂直自旋场效应晶体管开关，晶体管可同时具有信息存储与处理的功能。
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公开(公告)号：CN106596990A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611096440.7
申请日：2016-12-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: G01N35/02 , G01N35/04 , G01N2035/046
Abstract: 本发明公开了超高真空样品输运系统，包括超高真空样品输运小车和串联的超高真空样品室，串联的超高真空样品室之间设有闸板阀片，超高真空样品室铺设轨道；且所述的超高真空样品输运小车主要由2个超高真空样品存储台，超高真空样品存储台顶端均设有固定在样品存储台的永磁铁，设有隔磁金属板隔离在2个超高真空样品存储台之间，超高真空样品输运小车下部设有4‑6个独特的小车导向轮，且小车导向轮在所述轨道上运行，串联的超高真空样品室外表面设有驱动磁铁。实现在超高真空传送系统内同时完成16块样品的输运。
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公开(公告)号：CN108560045A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810594166.9
申请日：2018-06-11
Applicant: 南京大学
IPC: C30B23/02
Abstract: 本发明公开了一种八面超高真空腔体。包括超高真空主腔室；所述的超高真空腔室是由不锈钢整体机械加工，真空腔室的形状是八棱柱形，在确保腔室的机械强度情况下，实现了腔室的8个侧面8-16个法兰接口，不锈钢棒加工成八棱柱形式，在八棱柱内镗出圆柱形空腔，将八棱柱上下两个面加工为法兰；腔室主体成型后，在其八棱柱的每个腔壁分别镗一或二个孔，孔直接制备法兰接口或焊接法兰。实现腔室的16个侧面法兰接口，能够很方便地观察到腔室内的情况，其真空度及对称性完全可以达到MBE生长腔室的要求。
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公开(公告)号：CN106875959A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710003471.1
申请日：2017-01-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种四进制磁性存储单元，由磁性材料组成十字形结构，包含水平方向磁臂和竖直方向磁臂以及磁臂交叉的四种磁化状态的十字交叉结，当水平方向磁臂和竖直方向磁臂分别形成上下、左右磁化方向时，十字交叉结处能稳定存在四个磁化方向，将交叉结的四种磁化方向定义为四进制的“0”、“1”、“2”、“3”；写入数据时，磁头改变水平或竖直方向磁臂的磁化方向，进而改变十字交叉结处的磁化方向；读取数据时，磁头通过电磁感应来读出十字交叉结处的磁化方向。
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公开(公告)号：CN106676480A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710140215.7
申请日：2017-03-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 超高真空系统中的电子束蒸发源，包括棒状金属源材料即金属源棒、正高压电源、遮板(8)和生长速率计(9)的组合体、离子收集片(7)、灯丝(5)、定位孔柱(4)、金属源棒(3)外围为冷却水罩(6)，灯丝支架的金属柱(1)以及线性驱动器(2)，正高压电源施加金属源棒正高压，阴极灯丝发射的热电子；金属源棒被热电子轰击加热到足够高的温度后以非常低的速率发射出金属源原子束成为蒸发源，蒸发源上设有一个遮板(8)，在停止蒸发的时候遮挡蒸发束，遮板上设有一个同心孔，在遮板打开薄膜生长的时候让蒸发束通过；定位孔柱来活络限定源棒在轴向的进动，并使源棒在调整位置的时候也始终在蒸发源竖直中心上，蒸发源发射路径上有一个离子收集片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106596990B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201611096440.7
申请日：2016-12-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了超高真空样品输运系统，包括超高真空样品输运小车和串联的超高真空样品室，串联的超高真空样品室之间设有闸板阀片，超高真空样品室铺设轨道；且所述的超高真空样品输运小车主要由2个超高真空样品存储台，超高真空样品存储台顶端均设有固定在样品存储台的永磁铁，设有隔磁金属板隔离在2个超高真空样品存储台之间，超高真空样品输运小车下部设有4‑6个独特的小车导向轮，且小车导向轮在所述轨道上运行，串联的超高真空样品室外表面设有驱动磁铁。实现在超高真空传送系统内同时完成16块样品的输运。
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公开(公告)号：CN106533431A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610954313.X
申请日：2016-11-03
Applicant: 南京大学
IPC: H03K19/21
CPC classification number: H03K19/21
Abstract: 一种低能耗金属基逻辑电路，磁性材料构成与”逻辑门或者“或”逻辑门，磁性材料具有三种不同宽度的颈缩即磁颈缩，以采用电流提供逻辑运算的控制，形成“与”逻辑门或者“或”逻辑门；所述的逻辑门为三接线端装置，由两根带有磁颈缩的输入纳米线组成，所述两根带有磁颈缩的输入纳米线在接头区会聚形成带有磁颈缩的一根输出纳米线。
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公开(公告)号：CN208538918U
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201820874108.7
申请日：2018-06-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种微波辅助的磁电阻增强器件，包括由保护层、第一铁磁层、半导体层、第二铁磁层、保护层组成的层状薄膜，其材料依次为Cr、Fe、GaAs、NiFe、Cr；通过上下两侧电极通入高频微波后，沿平行于层状薄膜的磁场方向施加大于Fe、NiFe矫顽力的外加磁场，使得两个铁磁层的磁矩方向一致，此时层状薄膜处于低电阻状态；接着反向施加大于NiFe矫顽力、小于Fe矫顽力的外加磁场，使得两个铁磁层的磁矩方向相反，此时层状薄膜处于高电阻状态。本实用新型在器件两端制备电极并通入高频微波加以辅助，通过改变外加磁场实现整个器件的高电阻、低电阻状态转换，其电阻变化率可达到40％，且制备工艺简单，成本较低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206692720U
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201720229355.7
申请日：2017-03-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 超高真空系统中的电子束蒸发源，包括棒状金属源材料即金属源棒、正高压电源、遮板(8)和生长速率计(9)的组合体、离子收集片(7)、灯丝(5)、定位孔柱(4)、金属源棒(3)外围为冷却水罩(6)，灯丝支架的金属柱(1)以及线性驱动器(2)，正高压电源施加金属源棒正高压，阴极灯丝发射的热电子；金属源棒被热电子轰击加热到足够高的温度后以非常低的速率发射出金属源原子束成为蒸发源，蒸发源上设有一个遮板(8)，在停止蒸发的时候遮挡蒸发束，遮板上设有一个同心孔，在遮板打开薄膜生长的时候让蒸发束通过；定位孔柱来活络限定源棒在轴向的进动，并使源棒在调整位置的时候也始终在蒸发源竖直中心上，蒸发源发射路径上有一个离子收集片。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206573468U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720005827.0
申请日：2017-01-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 集成生长与测量的分子束外延生长系统，包括分子束外延生长腔室、样品操纵杆、可倾斜的样品台、入射光、反射光、一对电磁铁、偏振片、检偏器、激光二极管、光电探测器、分子束外延的生长源；分子束外延生长腔室上设有一对视窗，这对视窗是分子束外延生长系统上激光入射光和出射光的高透明、对光低散射的视窗；原位磁光表征系统安装在分子束外延生长系统的腔室上；原位磁光表征系统包含产生S型线偏振光的激光二极管、调节线偏振光的起偏偏振片；所述起偏偏振片产生激光入射光射至样品表面，所述检偏器对出射光检偏；原位磁光表征系统包含光电探测器，探测器将出射光的信号输入到锁相放大器；样品台侧设有电磁铁。样品操纵杆与可倾斜的样品台固定。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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