一种并联均流测试平台及方法和一种金属电极组件

    公开(公告)号:CN110780185A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201911050874.7

    申请日:2019-10-31

    Abstract: 本发明公开一种并联均流测试平台及方法和一种金属电极组件。该平台用于IGBT芯片和二极管芯片的并联均流测试;该平台包括现场主控机、高压直流电源、防爆电容器、反向恢复二极管、电抗器、IGBT驱动器、光波信号发生器、罗果夫斯基电流测量线圈组、压接型IGBT器件、示波器组和金属电极组件;IGBT驱动器、反向恢复二极管、压接型IGBT器件和待测芯片按需求连接成被动注入模式或主动开关模式下的测试电路。金属电极组件包括带孔电极板和带插针的电极凸台;通过将插针插入插孔中实现电极凸台与带孔电极板的连接,电极凸台与待测芯片连接。本发明能够根据待测芯片的布局调整电极的布局,适应在不同布局情况下的并联均流测试。

    一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法

    公开(公告)号:CN110232234A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910481319.3

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明公开一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法,所述PEET振荡调节器件为绕有线圈的坡莫合金环;所述坡莫合金环为环状结构;所述线圈的第一接线端连接直流电源的第一接线端,所述线圈的第二接线端连接直流电源的第二接线端;将所述坡莫合金环套在具有产生PETT振荡功能的IGBT器件的金属电极上,通过调节所述线圈内直流电流的大小来调节所述IGBT器件产生的PETT振荡的参数。本发明可以对IGBT器件产生的PETT振荡进行调控,并放置于工业界的IGBT模块中,作为监测模块的辅助装置,在监测时调节线圈电流,以应用于后续对IGBT模块的状态监测过程。

    一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法

    公开(公告)号:CN110133472A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910481839.4

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数,然后利用所述双脉冲测试电路,获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值,得到测试数据,根据测试数据确定拟合函数中的待定系数,得到拟合函数模型;然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号,并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号,获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数,实现了IGBT芯片的非接触式测量,进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

    一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构

    公开(公告)号:CN107305852A

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201610262775.5

    申请日:2016-04-25

    CPC classification number: H01L22/32

    Abstract: 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构,包括上端盖、下端盖和发射极金属电极;上端盖和下端盖均为凹形盖,上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架;发射极金属电极设置在长方体框架内,其包括圆盘形金属电极,及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台,凸台上放置IGBT模块;圆盘形金属电极布置在下端盖上,其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比,本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构,可以在主回路参数一致的条件下,测量多个并联的IGBT芯片的开关波形,从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。

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