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公开(公告)号：CN106406493B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201510460607.2
申请日：2015-07-30
IPC: G06F1/3287
Abstract: 一种能降低功耗的电子装置及降低电子装置功耗的方法，所述电子装置包括处理器、易失性内存、及非易失性内存，所述非易失性内存存储第一操作系统，所述电子装置在第一工作模式和第二工作模式下工作；当所述电子装置处于所述第一工作模式时，第二操作系统在所述易失性内存中运行，在所述处理器侦测到所述电子装置达到预设的进入所述第二工作模式的条件时，开启所述非易失性内存，移动所述易失性内存中的非系统数据至所述非易失性内存中，所述非系统数据不包括所述第二操作系统，在所述非系统数据移动完成后，关闭所述易失性内存，在所述非易失性内存中运行所述第一操作系统，使所述电子装置进入所述第二工作模式。从而降低电子装置的功耗。
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公开(公告)号：CN110968451A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811369316.2
申请日：2018-11-16
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种内存访问技术及计算机系统。本申请提供的内存访问方法可以根据待写入DRAM内存的数据中“1”和“0”的数量以及DRAM的存储模式，确定是否将待存储数据进行翻转存储，以减少动态随机存储器DRAM中高电荷的存储单元的数量，降低数据的出错概率。
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公开(公告)号：CN105989352B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201510101155.9
申请日：2015-03-06
IPC: G06K9/00
Abstract: 本申请揭示了一种图像识别加速器、终端设备及图像识别方法。图像识别加速器包括了降维处理模块、NVM以及图像匹配模块。在图像识别加速器进行图像识别的过程中，先由降维处理模块根据设置的降维参数γ降低第一图像数据的维度。NVM将降维后的第一图像数据中的各个数值的低ω位按照设置的第一电流I写入NVM中的第一存储区域，并将降维后的第一图像数据中的各个数值的高N‑ω位按照设置的第二电流写入NVM中的第二存储区域。其中，第一电流小于第二电流。从而，匹配模块可以确定所述NVM中存储的图像库中是否包含有与所述降维后的第一图像数据相匹配的图像数据。本发明实施例提供的图像识别加速器能够在降低终端设备的系统功耗的基础上保证图像识别的准确性。
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公开(公告)号：CN109478168A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780043116.5
申请日：2017-06-23
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F13/00
Abstract: 一种内存访问技术及计算机系统(100)，所述计算机系统(100)包括内存控制器(106)、介质控制器(110)以及与所述介质控制器(110)连接的非易失性内存NVM(112)。在接收所述内存控制器(106)发送的第一读命令之后，所述介质控制器(110)可以根据所述第一读命令中的第一地址从所述NVM(112)中读取第一数据。之后，所述介质控制器(110)能够根据所述内存控制器(106)发送的至少两个Send命令向所述内存控制器(106)返回固定长度的至少两个子数据块以及所述至少两个子数据块的元数据。其中，所述元数据中包含有用于指示对应的子数据块在所述第一数据中的偏移量的位置标识。所述内存控制器(106)根据所述至少两个子数据块的元数据中的位置标识将所述至少两个子数据块合并为所述第一数据。
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公开(公告)号：CN105244043B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201410330469.1
申请日：2014-07-11
Abstract: 本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105632544B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410584291.3
申请日：2014-10-27
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C11/02
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储器，包括多个存储单元、行、列控制器，存储单元包括U型磁性轨道、第一及第二开关单元、读写装置，U型磁性轨道包括第一及第二端口、第一及第二存储区域，第一及第二存储区域分别位于第一及第二端口与U型磁性轨道底部的第一及第二端之间，同一列第一端口接收第一驱动电压；同一列第二端口接收第二驱动电压；行控制器连接同一列的第一及第二开关单元以控制其通断；同一列第一及第二开关单元还分别连接至U型磁性轨道底部第二端及第一端；同一列第一及第二开关单元还接收第三驱动电压，以驱动第一或第二存储区域的磁畴移动；读写装置用于对磁畴执行读操作或写操作。本发明提高存储密度和降低功耗。
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公开(公告)号：CN105097010B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201410210114.9
申请日：2014-05-16
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明实施例公开了一种铁电存储器，可包括：第一存储单元列、第一参考单元、第二参考单元和控制电路；第一参考单元和第二参考单元用于提供参考电压；控制电路，用于在读取第一存储单元列中的第一存储单元中所存储数据时，根据参考电压与第一存储单元的输出信号，获得第一存储单元中所存储的数据；在读取出了第一存储单元所存储的数据之后，将与数据的取值不同的数据写入第一参考单元，并将与读取的第一存储单元中所存储的数据的取值相同的数据写入第二参考单元。本发明实施例提供铁电存储器有利于提高参考单元与存储单元的数据回写效率，均衡参考单元对中的两个参考单元的读写疲劳度。
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公开(公告)号：CN104795086B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410028573.5
申请日：2014-01-21
IPC: G11C5/06
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储阵列、存储器及存储阵列控制方法，减少整个存储阵列的功耗，提升存储容量。存储阵列包括：存储单元，其存储区域顶部端口分别与阴极总线、阳极总线相连，其读写装置包括第一端口和第二端口，其存储区域包括第三端口和第四端口，对于一个存储单元，第一端口与第二列选通管相连，第二端口通过第一开关管与行译码器相连，第三端口通过第二开关管连接至第一列选通管和行译码器，第四端口通过第三开关管连接至第一列选通管和行译码器；通过对阴极总线、阳极总线、行译码器与第一列选通管的控制，选通存储单元和输入进行移位操作的信号；通过对行译码器与第二列选通管的控制，选通读写装置和输入进行读写操作的信号。
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公开(公告)号：CN107209712A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580001233.6
申请日：2015-11-16
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F11/30
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/0611 , G06F3/0634 , G06F3/0689 , G06F11/30
Abstract: 本申请揭示了一种存储系统存储设备及硬盘调度方法。所述存储系统包括M个硬盘组、供电系统和控制器，M为不小于3的自然数。所述M个硬盘组中的每个硬盘组包括至少一个用于存储数据的硬盘，每个硬盘包括非激活状态、启动状态以及工作状态。所述供电系统为所述存储系统提供的电力支持所述M个硬盘组中的一个硬盘组处于工作状态以及另一个硬盘组处于启动状态。所述控制器连接所述M个硬盘组并用于控制所述M个硬盘组中的第一硬盘组中的硬盘处于工作状态以处理第一组业务请求，并在所述第一硬盘组中的硬盘处于工作状态时，控制所述M个硬盘组中的第二硬盘组中的硬盘从非激活状态转换到启动状态，第二硬盘组用于处理第二组业务请求。
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