公开(公告)号：CN202332838U

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201120454618.7

申请日：2011-11-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  徐春林 ,  王宇哲 ,  徐明海 ,  胡畅 ,  刘胜

IPC: H01L23/538

Abstract: 本实用新型公开了一种硅通孔结构，其形成于硅片上，并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区，绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反，所述导电区表面覆盖有金属电极，所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层。本实用新型硅通孔结构的优点在于：通过粒子掺杂方式形成硅通孔结构的导电区和绝缘区，导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身，避免了目前硅通孔技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题，能够提高器件的可靠性和寿命。

公开(公告)号：CN202332839U

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201120491936.0

申请日：2011-12-01

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  王宇哲 ,  徐明海

IPC: H01L23/538

Abstract: 本实用新型公开了一种硅通孔结构，包括半导体衬底和贯穿所述半导体衬底的具有台阶的通孔，所述台阶通孔侧壁依次沉积有绝缘层、粘附层、阻挡层，通孔内填充有金属导体，半导体衬底表面上还依次沉积有由绝缘层、粘附层、阻挡层、导电层沉积构成的互连结构，互连结构中的导电层与金属导体相连接。