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公开(公告)号:CN108249902B
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN201810125883.7
申请日:2018-02-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法,其中微波介质陶瓷包括主晶相,主晶相的化学式是AxBSiyO1+x+2y,其中,A为Ba1‑zSrz、Ba1‑zCaz或者Sr1‑zCaz,B为Cu或者Mg,0.5≤x≤2,1≤y≤4,0≤z≤1。微波介质陶瓷的介电常数为4.2~12,微波介质陶瓷的品质因数为7729GHz~82071GHz。微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为‑60ppm/℃~‑1.2ppm/℃。在制备过程中烧结温度为950℃~1125℃。可以看出,本发明制备时烧结温度的范围较大,制备得到的微波介质陶瓷具有低介、高品质因数、谐振频率温度系数可调控至近零的特点。
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公开(公告)号:CN114988860A
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202210640862.5
申请日:2022-06-07
Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院 , 温州精石微通科技有限公司
IPC: C04B35/22 , C04B35/01 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法,该微波介质陶瓷的化学组成为[(1‑x)CaB2O4‑xCaSiO3]‑ywt%BaZrO3‑zwt%LiF,其中CaSiO3、CaB2O4、BaZrO3为主晶相,LiF为烧结助剂,且0
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公开(公告)号:CN108249902A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201810125883.7
申请日:2018-02-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/16
Abstract: 本发明公开了一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法,其中微波介质陶瓷包括主晶相,主晶相的化学式是AxBSiyO1+x+2y,其中,A为Ba1‑zSrz、Ba1‑zCaz或者Sr1‑zCaz,B为Cu或者Mg,0.5≤x≤2,1≤y≤4,0≤z≤1。微波介质陶瓷的介电常数为4.2~12,微波介质陶瓷的品质因数为7729GHz~82071GHz。微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为‑60ppm/℃~‑1.2ppm/℃。在制备过程中烧结温度为950℃~1125℃。可以看出,本发明制备时烧结温度的范围较大,制备得到的微波介质陶瓷具有低介、高品质因数、谐振频率温度系数可调控至近零的特点。
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