一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN108249902B

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201810125883.7

    申请日:2018-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法,其中微波介质陶瓷包括主晶相,主晶相的化学式是AxBSiyO1+x+2y,其中,A为Ba1‑zSrz、Ba1‑zCaz或者Sr1‑zCaz,B为Cu或者Mg,0.5≤x≤2,1≤y≤4,0≤z≤1。微波介质陶瓷的介电常数为4.2~12,微波介质陶瓷的品质因数为7729GHz~82071GHz。微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为‑60ppm/℃~‑1.2ppm/℃。在制备过程中烧结温度为950℃~1125℃。可以看出,本发明制备时烧结温度的范围较大,制备得到的微波介质陶瓷具有低介、高品质因数、谐振频率温度系数可调控至近零的特点。

    一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN108249902A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201810125883.7

    申请日:2018-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法,其中微波介质陶瓷包括主晶相,主晶相的化学式是AxBSiyO1+x+2y,其中,A为Ba1‑zSrz、Ba1‑zCaz或者Sr1‑zCaz,B为Cu或者Mg,0.5≤x≤2,1≤y≤4,0≤z≤1。微波介质陶瓷的介电常数为4.2~12,微波介质陶瓷的品质因数为7729GHz~82071GHz。微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为‑60ppm/℃~‑1.2ppm/℃。在制备过程中烧结温度为950℃~1125℃。可以看出,本发明制备时烧结温度的范围较大,制备得到的微波介质陶瓷具有低介、高品质因数、谐振频率温度系数可调控至近零的特点。

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