公开(公告)号：CN110556475B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201910760406.2

申请日：2019-08-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 缪向水 ,  周凌珺 ,  童浩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种低密度变化相变材料，其为第一相变材料层和第二相变材料层循环交替叠合而成的类超晶格相变材料层，所述第一相变材料层和所述第二相变材料层之间形成类超晶格界面，所述第一相变材料层为C‑GeSb，所述第二相变材料层为GeTe，循环交替叠合层数至少有三层。相变材料C‑GeSb中碳掺杂的比例为可调整的，该材料具有非常低的相变密度变化，在适当的碳掺杂比例下几乎不发生密度变化，因此不会因为多次相变而出现孔洞，进而导致器件失效。非晶态GeTe层的晶化温度较高，因此适当厚度的GeTe层的加入可以在可控范围内提高相变材料的晶化温度，提高器件整体的稳定性，可同时满足存储器对高速擦写和电阻窗口的需求。

公开(公告)号：CN109830482B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201910002256.9

申请日：2019-01-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 缪向水 ,  周凌珺 ,  杨哲 ,  童浩

IPC: H01L27/11529 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明公开了一种非易失性3D NAND存储器的双面栅电极及其制备方法，包括制备背面和双面栅电极孔，通过控制通电时间和氧化铝模板制备好n个依次成阶梯状排列的双面栅电极单元，每个栅电极单元为柱状结构，正面栅电极的上表面用于连接衬底正面栅层，下表面用于连接正面字线，背面栅电极的上表面用于连接衬底背面栅层，下表面用于连接背面字线。本发明利用硅衬底的上下两面制备字线和与其连接的栅电极，有效的减小了堆叠层数不断增加后，所需外围连接的字线的面积，从而增加了存储密度。同时双面栅电极在空间上存在一定交错，降低面内的电极布线密度，提高散热性能，并降低面内布线间的干扰。