公开(公告)号：CN113628654A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110786681.9

申请日：2021-07-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  何柱力 ,  张博凯 ,  刘香君 ,  缪向水

IPC: G11C13/00 ,  G02F3/00 ,  H03K19/173

Abstract: 本发明公开了一种Y分支型相变全光布尔逻辑器件及其全二元逻辑实现方法，包括一个Y分支结构的波导和覆盖于波导上方的相变功能单元；逻辑实现方法上采用功率较大的光脉冲对相变功能单元进行写入操作，使之升温并产生晶化或非晶化的相变，从而出现两种状态下光学性质上的差异；采用功率较小的光脉冲对相变功能单元的状态进行读取，同时不改变相变材料的状态。通过对输入逻辑信号分别进行定义，以及定义三个操作步骤，可以实现操作方式可重构逻辑，通过分步操作，在该简单结构中实现全16种二元布尔逻辑计算。本发明通过操作方式可重构的解决方法，实现16种二元布尔逻辑计算功能，大大提高了逻辑计算的工作效率。

公开(公告)号：CN113078260A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110245476.1

申请日：2021-03-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  朱云来 ,  何柱力 ,  缪向水

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二维电子气的互补型忆阻器及其制备方法，属于集成微电子器件技术领域。本发明通过对上下电极进行改进，利用异质结产生的二维电子气作为电极，由于二维电子气的局域传导特性，导致器件上下双极性忆阻器导电丝定向生长，从而可以提高互补型忆阻器的高低阻态和操作电压(Set和Reset电压)的一致性。由于该互补型忆阻器结构阻变开关层采用的是突变异质结一部分，所以器件本身电阻很大，这导致器件操作电流小，具有低功耗的特征。