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公开(公告)号：CN102135729A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110066622.0
申请日：2011-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种碳微纳集成结构的制备方法，在光刻胶中掺入碳纳米管CNT，使CNT均匀地分布在微结构内部和表面；显影时，在显影液中掺入CNT，光刻胶在溶解过程中发生交联反应，显影液中的CNT自组装到微柱表面，增加了CNT的覆盖率。本发明使用纳结构对碳微结构进行修饰，极大地提高碳微结构的表面积，改进导电特性。
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公开(公告)号：CN102167281A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110080231.4
申请日：2011-03-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种表面集成碳纳米结构的碳微结构的制备方法，包括：(1)预处理及光刻步骤，得到图案化的有机聚合物微结构；(2)沉积金属步骤：在所述有机聚合物微结构上沉积一层或多层金属层，作为催化剂；和(3)热解步骤：在惰性气体或其混合气体环境下进行多步热解，各步热解温度不同；通过上述步骤，即可形成表面集成碳纳米结构的碳微结构。本发明还提供了一种应用上述方法制备的碳微结构。本发明将厚胶光刻、金属沉积和热解相结合，提高了微结构的表面积，本发明的方法运用于微机电系统中，具有工艺简便、图形精细、结构牢固、成本低的特点，制备的碳微结构可作为微电极应用于微型电池、生物芯片、微型电化学传感器等微机电领域中。
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公开(公告)号：CN102135729B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110066622.0
申请日：2011-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种碳微纳集成结构的制备方法，在光刻胶中掺入碳纳米管CNT，使CNT均匀地分布在微结构内部和表面；显影时，在显影液中掺入CNT，光刻胶在溶解过程中发生交联反应，显影液中的CNT自组装到微柱表面，增加了CNT的覆盖率。本发明使用纳结构对碳微结构进行修饰，极大地提高碳微结构的表面积，改进导电特性。
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公开(公告)号：CN102154706A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110066629.2
申请日：2011-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种一维纳米材料的制备方法，使用高分子有机物作为碳源，硅片表面的一层极薄的氧化硅作为氧和硅的来源，置于特定流量的氢气和氮气或者氢气和氩气的混合气体环境中，按照特定的升温曲线加热，即可制备出多种类的线性纳米材料。本发明只需使用同一套设备，调节升温曲线和气体流量，便可制备出的不同种类和产量的纳米材料。制备出的纳米材料除具有耐高温、高强度、低密度、低热膨胀系数、化学稳定等特性外，还具有特殊的荧光特性和压电特性、在可见光范围内具有高反射率，在超级电容行业和军事设备的隐身材料领域中具有广泛的应用前景。
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