公开(公告)号：CN107855533B

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201711136474.9

申请日：2017-11-16

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何新波 ,  潘彦鹏 ,  任淑彬 ,  吴茂 ,  曲选辉

IPC: B22F3/22 ,  B22F1/02 ,  B22F3/10 ,  C22C9/00 ,  C22C26/00 ,  C22C32/00

Abstract: 一种结合注射成形技术制备金刚石/铜复合材料的方法，采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的Mo2C用来改善金刚石与铜的润湿性，然后采用化学镀覆方法继续在Mo2C层表面镀铜，通过控制镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度，从而制备出含铜体积分数为1％～10％的双镀层Cu‑Mo2C‑Diamond粉末。然后将定量的Cu‑Mo2C‑Diamond粉末与多聚合物组元石蜡基粘结剂混合成均匀的喂料，制粒后在注射成形机上注射成形，所得预成形坯经过溶剂和热脱脂后高温下进行预烧结，将得到的坯体通过真空无压熔渗技术将铜液通过孔隙的毛细管作用渗透到金刚石骨架中，从而获得具有高体积分数的金刚石/铜复合材料零件。本发明可直接制备出具有复杂形状的Diamond/Cu复合材料零部件，金刚石体积分数高、组织均匀致密，可批量生产，生产成本低。

公开(公告)号：CN106756906B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201611195460.X

申请日：2016-12-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何新波 ,  潘彦鹏 ,  任淑彬 ,  吴茂 ,  张忍 ,  曲选辉

IPC: C23C18/40 ,  C23C18/18 ,  C23C28/00 ,  B22F1/02

Abstract: 本发明属于粉末冶金技术领域，涉及一种双镀层金刚石粉末的制备方法，采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的WC用来改善金刚石与铜的润湿性，然后采用化学镀覆方法持续在WC层表面镀铜，通过控制镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度，从而制备出含铜体积分数为30～50vol.％的双镀层Cu‑WC‑Diamond粉末。该粉末可直接压制成形(Diamond/Cu)复合材料零部件，实现了复杂形状金属基复合材料零部件的近净成形。本发明的优点在于可通过控制镀铜层厚度制备Cu‑WC‑Diamond粉末，而制备的Cu‑WC‑Diamond粉末的镀铜量即为压制该粉末成形后的Diamond/Cu复合材料的含铜量，因此制备的复合材料金刚石分布均匀，结合强度高，性能优异。

公开(公告)号：CN106583735B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201611195464.8

申请日：2016-12-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何新波 ,  潘彦鹏 ,  任淑彬 ,  吴茂 ,  郑伟 ,  曲选辉

IPC: B22F5/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  C23C18/38

Abstract: 本发明提供了一种制备具有高体积分数金刚石/铜复合材料零件的方法，采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的Mo2C用来改善金刚石与铜的润湿性，然后采用化学镀覆方法继续在Mo2C层表面镀铜，通过控制镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度，从而制备出含铜体积分数为30～50vol.％的双镀层Cu‑Mo2C‑Diamond粉末。通过超高压冷压方法对Cu‑Mo2C‑Diamond粉末进行成形，并采用真空无压烧结方法制备Diamond/Cu复合材料零部件。本发明的优点在于可直接制备出具有复杂形状的高体积分数(50～70vol.％Diamond/Cu)复合材料零部件，同时，复合材料组织均匀、致密度高，可实现批量生产Diamond/Cu复合材料零件，生产成本低。

公开(公告)号：CN106673656A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201710038816.7

申请日：2017-01-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何新波 ,  郑伟 ,  吴茂 ,  潘彦鹏 ,  曲选辉

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/573 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/52 ,  C04B35/573 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

Abstract: 本发明涉及一种石墨为碳源制备金刚石/碳化硅复合材料的方法，属于金刚石/碳化硅复合材料领域。本发明以硅粉为基体，采用金刚石作为导热源，以石墨为主要的反应碳源，在高温条件下通过碳和硅的相互扩散进行碳硅反应，生成碳化硅，继而得到金刚石/碳化硅的复合材料。首先，将金刚石，石墨和硅粉混合，经过混料机混合，然后烘干、破碎、过筛，制备初始的混合粉料。得到的混合粉料，再通过热压的方式制备具有一定形状和尺寸的金刚石/碳化硅的复合材料。由这种方法得到的金刚石/碳化硅的复合材料，具有较高的热导率和低的热膨胀系数，可用作电子封装中集成电路的基板材料。

公开(公告)号：CN106583735A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611195464.8

申请日：2016-12-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何新波 ,  潘彦鹏 ,  任淑彬 ,  吴茂 ,  郑伟 ,  曲选辉

IPC: B22F5/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  C23C18/38

CPC classification number: B22F5/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1007 ,  B22F2999/00 ,  C23C18/38 ,  B22F2201/20

Abstract: 本发明提供了一种制备具有高体积分数金刚石/铜复合材料零件的方法，采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的Mo2C用来改善金刚石与铜的润湿性，然后采用化学镀覆方法继续在Mo2C层表面镀铜，通过控制镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度，从而制备出含铜体积分数为30～50vol.％的双镀层Cu‑Mo2C‑Diamond粉末。通过超高压冷压方法对Cu‑Mo2C‑Diamond粉末进行成形，并采用真空无压烧结方法制备Diamond/Cu复合材料零部件。本发明的优点在于可直接制备出具有复杂形状的高体积分数(50～70vol.％Diamond/Cu)复合材料零部件，同时，复合材料组织均匀、致密度高，可实现批量生产Diamond/Cu复合材料零件，生产成本低。