一种无机/有机半导体纳米复合结构及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN105152122A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201510359314.5

    申请日:2015-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种无机/有机半导体纳米复合结构及其制备方法和应用。本发明利用钛箔为基体,经刻蚀、清洗后得到的钛基体,通过阳极氧化法,在钛基体表面得到无机半导体TiO2纳米管阵列;再以TiO2纳米管阵列为生长基底,通过物理气相沉积法在其表面沉积一层苝四酸二亚酰胺有机半导体薄膜,从而得到无机/有机半导体纳米复合结构。同时,通过改变TiO2纳米管阵列的基底位置,可以实现不同有机薄膜沉积量的纳米复合结构。本方法简单易行,为无机、有机半导体材料的层次组装提供了实验基础。通过对所得的纳米复合结构在光电化学电池光催化分解水制氢领域的应用进行研究,结果显示该结构具有高效光催化性能。

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