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公开(公告)号：CN111283844B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010075569.X
申请日：2020-01-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: B28B1/00 , B33Y10/00 , B33Y40/10 , B33Y40/20 , B33Y30/00 , B33Y70/10 , C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种3D凝胶打印制备锶铁氧体制件的方法，其过程为：首先通过共沉淀法制备锶和铁的共沉淀物，再通过煅烧得到预烧料，将在预烧料中加入部分纳米共沉淀物一起球磨干燥，再将其加入有机单体和有机溶剂的预混液中制备打印料浆。通过3D凝胶打印机打印成形，干燥和烧结之后得到锶铁氧体。由于纳米尺寸粉末具有很高的表面能，化学性质非常活泼，通过共沉淀方法将二者均匀混合，在预烧过程中反应生成锶铁氧体(SrFe12O19)非常均匀。再通过加入部分纳米级共沉淀物包覆在锶铁氧体粉末的表面，利用纳米粉末的高活性为后续烧结达到致密奠定基础，解决了3D凝胶打印料浆固含量不高而面临烧结致密困难的难题，从而实现利用3D凝胶打印技术制备锶铁氧体制件。
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公开(公告)号：CN111320476A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010285011.4
申请日：2020-04-13
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/632 , C04B35/634
Abstract: 本发明涉及一种金刚石-碳化硅复合材料及其制备方法、电子设备，制备方法包括以下步骤：将金刚石、分散剂、聚碳硅烷、塑化剂和溶剂混合，制备流延浆料；对所述流延浆料进行流延成型处理，制备生坯；对所述生坯进行热压烧结处理；该方法制备得到的金刚石-碳化硅复合材料具有致密度高，热导率高的优点，且具有工艺简单，生产周期短，自动化程度高，适合大规模工业生产的优势。
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公开(公告)号：CN108257925B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201810003325.3
申请日：2018-01-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L23/29 , H01L23/373
Abstract: 一种硅化金刚石/SiC复合材料的制备方法，属于电子封装材料领域。首先将金刚石颗粒与硅粉进行湿混，充分研磨后进行烧结，使得金刚石表面与硅粉发生反应，生成一层碳化硅涂层，然后以表面镀覆碳化硅的金刚石颗粒与硅粉混合，同时加入有机粘结剂，研磨并且在混料机上混料，得到了均匀的复合颗粒。这些复合颗粒经过预压、脱脂，移入真空熔渗炉中，采用硅掩埋法进行真空熔渗，制备了致密的金刚石/SiC复合材料。本发明采用硅粉对金刚石微粒进行了改性，提高了金刚石与硅之间的界面结合性，得到的金刚石/SiC复合材料致密度在95％以上，硬度HRA80以上，抗弯强度超过200MPa，热导率可达到600W/mK，热膨胀系数1.5～4×10‑6/K。本发明可一次制备多种复杂性状，复杂曲率，大尺寸的产品，生产效率高、成本低。
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公开(公告)号：CN107855533B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201711136474.9
申请日：2017-11-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种结合注射成形技术制备金刚石/铜复合材料的方法，采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的Mo2C用来改善金刚石与铜的润湿性，然后采用化学镀覆方法继续在Mo2C层表面镀铜，通过控制镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度，从而制备出含铜体积分数为1％～10％的双镀层Cu‑Mo2C‑Diamond粉末。然后将定量的Cu‑Mo2C‑Diamond粉末与多聚合物组元石蜡基粘结剂混合成均匀的喂料，制粒后在注射成形机上注射成形，所得预成形坯经过溶剂和热脱脂后高温下进行预烧结，将得到的坯体通过真空无压熔渗技术将铜液通过孔隙的毛细管作用渗透到金刚石骨架中，从而获得具有高体积分数的金刚石/铜复合材料零件。本发明可直接制备出具有复杂形状的Diamond/Cu复合材料零部件，金刚石体积分数高、组织均匀致密，可批量生产，生产成本低。
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公开(公告)号：CN106756906B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201611195460.X
申请日：2016-12-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于粉末冶金技术领域，涉及一种双镀层金刚石粉末的制备方法，采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的WC用来改善金刚石与铜的润湿性，然后采用化学镀覆方法持续在WC层表面镀铜，通过控制镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度，从而制备出含铜体积分数为30～50vol.％的双镀层Cu‑WC‑Diamond粉末。该粉末可直接压制成形(Diamond/Cu)复合材料零部件，实现了复杂形状金属基复合材料零部件的近净成形。本发明的优点在于可通过控制镀铜层厚度制备Cu‑WC‑Diamond粉末，而制备的Cu‑WC‑Diamond粉末的镀铜量即为压制该粉末成形后的Diamond/Cu复合材料的含铜量，因此制备的复合材料金刚石分布均匀，结合强度高，性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106583735B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201611195464.8
申请日：2016-12-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种制备具有高体积分数金刚石/铜复合材料零件的方法，采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的Mo2C用来改善金刚石与铜的润湿性，然后采用化学镀覆方法继续在Mo2C层表面镀铜，通过控制镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度，从而制备出含铜体积分数为30～50vol.％的双镀层Cu‑Mo2C‑Diamond粉末。通过超高压冷压方法对Cu‑Mo2C‑Diamond粉末进行成形，并采用真空无压烧结方法制备Diamond/Cu复合材料零部件。本发明的优点在于可直接制备出具有复杂形状的高体积分数(50～70vol.％Diamond/Cu)复合材料零部件，同时，复合材料组织均匀、致密度高，可实现批量生产Diamond/Cu复合材料零件，生产成本低。
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公开(公告)号：CN108257880A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810003359.2
申请日：2018-01-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56
Abstract: 一种真空熔渗法制备金刚石/Si(Al)复合材料的工艺方法，属于电子封装材料领域。其特征是采用真空熔渗法，将硅粉，铝粉以及有机粘结剂按照适当比例混合，并用有机溶剂润湿成糊状，然后加入金刚石颗粒，搅拌均匀，经混料机混合均匀，压制成具有规则形状的多孔预制坯体，随后进行脱脂处理，使有机粘结剂完全分解，接着将多孔坯体放入真空熔渗炉中，用硅粉掩埋，密封，抽真空，并温度加热至硅熔点以上，进行液体熔渗，实现多孔坯体的致密化，制备出具有规则形状，高致密，优秀热物理性能的金刚石/Si/Al复合材料。这种复合材料高导热，低膨胀，密度低，轻度高，制备简便，后期加工处理难度小，是一种潜在的电子封装用基体材料。
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公开(公告)号：CN105779819B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510998659.5
申请日：2015-12-28
Applicant: 北京科技大学 , 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明属于中子衍射技术领域，涉及一种用于中子衍射高压腔体封垫的钼钛合金中子透明材料及其制备方法，该钼钛合金中子透明材料中钼的含量为46~56wt%，剩余为钛。这种钼钛合金中子透明材料与现有的Ti‑Zr合金封垫相比，强度高，能够提高高压腔体的压力，增多高压实验样品数量；中子透射率高，中子衍射性与Ti‑Zr合金相当，但对金刚石的粘附很低，高压实验后容易清洁金刚石压砧，能够延长金刚石压砧的使用寿命，降低高压实验的成本。
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公开(公告)号：CN107195412A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710368285.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01F1/057 , H01F1/0577 , H01F1/0578 , H01F41/0253
Abstract: 本发明提供一种3D打印用钕铁硼粉末料浆的制备及应用方法，以及使用这种钕铁硼料浆3D打印成形和通过烧结得到最终钕铁硼磁体，属于3D打印领域。本发明是在有机溶剂、防氧化剂和有机粘结剂的保护下将氢化钕铁硼磁粉球磨细化，通过控制各组份的数量，得到固含量、粘度和粒度适合于3D打印的钕铁硼粉末料浆。本发明的钕铁硼粉末料浆悬浮性好，稳定性好，粘度适合，并且这种料浆制备方法成本低，效率高，工艺稳定，非常适合于3D打印成形。3D打印成形的坯体强度好，尺寸和形状精确。烧结后的钕铁硼磁体达到常规工艺的磁体性能。
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公开(公告)号：CN107160059A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710347319.5
申请日：2017-05-17
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: B23K35/40 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K35/3033
Abstract: 一种用于钎焊Nb‑Ti高温合金的Ni基钎料的制备及钎焊方法，属于焊接材料领域。本发明中钎料的组分及含量按原子百分数为：Ni：60～70％，Ti：20～30％，Nb：5～15％。采用真空电弧熔炼技术制备Ni‑Ti‑Nb高温钎料，采用该钎料真空钎焊Nb‑Ti高温合金，钎焊温度为1050～1200℃，钎焊时间为5‑20min，钎焊接头室温剪切强度可达550MPa以上。本发明中的Ni‑Ti‑Nb钎料比传统的Ag基、Al基和Au基钎料钎焊温度要高，可以充分发挥Nb‑Ti合金的高温性能。采用Ni‑Ti‑Nb钎料钎焊Nb基高温合金，其室温剪切强度达到550MPa以上。本发明描述的钎料还可用于其它Ni基、Ti基和Nb基高温合金的钎焊连接。
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