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公开(公告)号：CN114242953B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111581486.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 北京理工大学重庆创新中心 , 北京理工大学
IPC: H01M4/139 , H01M4/1399 , H01M10/052 , H01M4/13
Abstract: 本发明公开了一种金属锂负极及其制备方法和应用，包括以下步骤：S1、将含氟或/和含氯高分子化合物溶解在溶剂中，得到反应溶液，其中，所述溶剂为含有酰胺基和/或醛基的化合物；S2、将反应溶液均匀涂敷在金属锂表面反应0.5－30min，得到表面具有钝化层的金属锂负极。本发明的含氟、氯高分子在溶剂的作用下与金属锂发生快速反应，在金属锂表面快速形成氟化锂或氯化锂钝化层，可在最短0.5min内实现完全制备过程，同时，本发明利用未反应的高分子在最外层形成包裹保护作用，由此有效地阻挡了金属锂和电解液的直接接触，提高了锂金属电池的电化学性能，本发明的制备方法具有制备工艺简单、制备成本低、工艺耗时少、钝化层厚度易控制等优点，更适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN116409811B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310369954.9
申请日：2023-04-07
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆创新中心
IPC: C01G9/02 , C01G15/00 , C01B32/184 , G01N27/407
Abstract: 本发明公开了一种rGO‑ZnO‑In2O3复合材料及制备方法、还原性气体传感器及制备方法和应用，包括以下步骤：A、将锌盐、铟盐以及PEG溶于去离子水中，加入石墨烯分散液，得到前驱体溶液，调整前驱体溶液的pH值；B、将前驱体溶液置于反应釜中，水热反应后冷却，离心、沉淀、洗涤、干燥得到反应产物；C、加热将石墨烯还原为还原氧化石墨烯，再煅烧即得。本发明采用一步水热法制备得到rGO‑ZnO‑In2O3复合材料，具有工艺过程简单、成本低廉的特点，制备得到的气体传感器具有灵敏度高、响应速度迅速、低功耗、耐电解液腐蚀及侵扰、性能稳定性好等特点，克服了传统气体传感器应用于锂电池气体监测时所存在的不足。
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公开(公告)号：CN114325509B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202111652246.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京理工大学重庆创新中心 , 北京理工大学
IPC: G01R33/02 , G01R33/028 , H01M50/40 , H01M50/403
Abstract: 本发明公开了一种用于检测锂离子电池枝晶生长的智能隔膜及检测方法，所述智能隔膜用于锂离子电池中，该智能隔膜包括隔膜基体，隔膜基体至少一面负载磁性金属的非磁性化合物，磁性金属的非磁性化合物通过磁控溅射的方法覆盖在隔膜基体上，以形成智能隔膜。本发明利用智能隔膜来判断锂离子电池的锂枝晶生长情况，不仅时效性好，在锂离子电池短路前监测到锂枝晶，而且可以在不破坏锂离子电池的情况下准确检测出生长的锂枝晶，不影响锂离子电池正常工作的能力。本发明克服了传统锂枝晶检测方法所存在的操作难度大、准确性差、检测效率低等问题。
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公开(公告)号：CN114242953A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111581486.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 北京理工大学重庆创新中心 , 北京理工大学
IPC: H01M4/139 , H01M4/1399 , H01M10/052 , H01M4/13
Abstract: 本发明公开了一种金属锂负极及其制备方法和应用，包括以下步骤：S1、将含氟或/和含氯高分子化合物溶解在溶剂中，得到反应溶液，其中，所述溶剂为含有酰胺基和/或醛基的化合物；S2、将反应溶液均匀涂敷在金属锂表面反应0.5－30min，得到表面具有钝化层的金属锂负极。本发明的含氟、氯高分子在溶剂的作用下与金属锂发生快速反应，在金属锂表面快速形成氟化锂或氯化锂钝化层，可在最短0.5min内实现完全制备过程，同时，本发明利用未反应的高分子在最外层形成包裹保护作用，由此有效地阻挡了金属锂和电解液的直接接触，提高了锂金属电池的电化学性能，本发明的制备方法具有制备工艺简单、制备成本低、工艺耗时少、钝化层厚度易控制等优点，更适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN116409811A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310369954.9
申请日：2023-04-07
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆创新中心
IPC: C01G9/02 , C01G15/00 , C01B32/184 , G01N27/407
Abstract: 本发明公开了一种rGO‑ZnO‑In2O3复合材料及制备方法、还原性气体传感器及制备方法和应用，包括以下步骤：A、将锌盐、铟盐以及PEG溶于去离子水中，加入石墨烯分散液，得到前驱体溶液，调整前驱体溶液的pH值；B、将前驱体溶液置于反应釜中，水热反应后冷却，离心、沉淀、洗涤、干燥得到反应产物；C、加热将石墨烯还原为还原氧化石墨烯，再煅烧即得。本发明采用一步水热法制备得到rGO‑ZnO‑In2O3复合材料，具有工艺过程简单、成本低廉的特点，制备得到的气体传感器具有灵敏度高、响应速度迅速、低功耗、耐电解液腐蚀及侵扰、性能稳定性好等特点，克服了传统气体传感器应用于锂电池气体监测时所存在的不足。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114824462A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210396664.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆创新中心
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种氟化凝胶电解质及其制备方法，属于凝胶聚合物电解质技术领域。所述电解质由聚偏氟乙烯‑六氟丙烯膜和电解液组成；所述电解液由锂盐和有机溶剂组成；所述有机溶剂由有机溶剂I和有机溶剂II按照体积比为(1～3):1组成；所述有机溶剂I为碳酸二乙酯或碳酸甲乙酯；所述有机溶剂II为氟代碳酸乙烯酯。所述电解质由如下方法制得：将锂盐完全溶解于有机溶剂中，得到电解液；再将聚偏氟乙烯‑六氟丙烯膜在所述电解液中浸泡12h～36h，得到所述氟化凝胶电解质。所述电解质具有高电化学窗口、高离子电导率，可实现室温下与高镍正极的匹配以及稳定的电化学循环；所述方法简单，成本低，易于规模化制备。
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公开(公告)号：CN115010190B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210709063.9
申请日：2022-06-22
Applicant: 北京理工大学重庆创新中心
Abstract: 本发明公开了一种高熵氧化物正极材料及其制备方法和应用，所述高熵氧化物正极材料的分子式为LiNiaM1－a－bNbO2或yLi2MnO3·(1－y)LiM1－cNcO2，其中，0.1＜a＜1，0＜b＜1－a，0.1＜y＜1，0＜c＜1；所述M为Ti、V、Cr、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ta、La、Ce、Na、K、Mn、Mg、Al、Fe中至少5种金属元素，且每种金属元素物质的量相等；N为K、Mn、Mg、Al、Fe中至少1种金属元素。本发明通过调控和配比特定金属元素，并配合制备工艺，突破了传统制备高熵氧化物工艺中高煅烧温度的限制，实现了较短时间和较低煅烧温度中促进高熵氧化物前驱体单一固溶体的形成，显著降低了能耗，克服了现有制备高熵氧化物正极材料
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公开(公告)号：CN115050940B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210703165.X
申请日：2022-06-21
Applicant: 北京理工大学重庆创新中心
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种高熵陶瓷改性正极材料及其制备方法和应用，所述高熵陶瓷改性正极材料包括正极材料本体和包覆在正极材料本体表面的高熵陶瓷包覆层，所述高熵陶瓷包覆层为含有M金属和N金属的氧化物固溶体，所述M金属选自Ti、V、Cr、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ta、La、Ce、Li中的4－8种金属元素，所述N金属选自K、Mn、Fe、Al、Mg中至少一种金属元素。本发明通过高熵陶瓷来包覆正极材料，并配合制备工艺的改进，制备得到了一种离子迁移速率高、材料循环稳定性好、高温性能和热稳定性能优异的正极材料，在提高正极材料综合性能的同时，降低了制备工艺的能耗，克服了现有技术所存在的不足。
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公开(公告)号：CN115360340A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211167558.X
申请日：2022-09-23
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/583 , H01M10/054
Abstract: 本发明涉及一种阴阳离子功能化掺杂改性的高熵聚阴离子型正极材料、制备方法及其应用，属于钠离子电池技术领域。所述正极材料包含正极内核和碳包覆层，所述正极内核的化学式为NaδAαBβCγXσYmZn，其中A为V3+和/或Fe2+，B为Cu2+、Mn2+和Cr3+中的一种以上，C为Ni2+和/或Ti4+，X为PO43‑和/或P2O74‑，Y为SO42‑、N3‑和F‑中的一种以上，Z为BO33‑、SiO44‑、S2‑和Cl‑中的一种以上，所述高熵聚阴离子型正极材料粒径为10μm～40μm，碳包覆层厚度为5nm～10nm。采用阴阳离子协同作用对过渡金属位和聚阴离子位基团分布进行定向设计，构建阴阳离子兼容的高熵化结构，控制晶相的归一化生长及定向构筑，实现成本优势、电压容量优势以及导电性优势的协同控制。
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公开(公告)号：CN115050940A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210703165.X
申请日：2022-06-21
Applicant: 北京理工大学重庆创新中心
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种高熵陶瓷改性正极材料及其制备方法和应用，所述高熵陶瓷改性正极材料包括正极材料本体和包覆在正极材料本体表面的高熵陶瓷包覆层，所述高熵陶瓷包覆层为含有M金属和N金属的氧化物固溶体，所述M金属选自Ti、V、Cr、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ta、La、Ce、Li中的4－8种金属元素，所述N金属选自K、Mn、Fe、Al、Mg中至少一种金属元素。本发明通过高熵陶瓷来包覆正极材料，并配合制备工艺的改进，制备得到了一种离子迁移速率高、材料循环稳定性好、高温性能和热稳定性能优异的正极材料，在提高正极材料综合性能的同时，降低了制备工艺的能耗，克服了现有技术所存在的不足。
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