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公开(公告)号：CN119269869A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411325722.4
申请日：2024-09-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电力系统电流测量技术领域，具体涉及一种高精度电流传感器及其设计方法和装置、电路结构及芯片，在所述高精度电流传感器中，通过在原有TMR惠斯通电桥的基础上添加了一个精密电阻惠斯通电桥，采用了4个阻值相同的精密电阻，使得4个精密电阻分别并联在原有TMR惠斯通电桥中4个TMR单元的两端，且精密电阻的阻值小于TMR单元的阻值。本公开削弱了由于TMR单元的阻值的不匹配造成的零偏，同时也衰减了由于温度造成的温偏，且由于精密电阻的阻值不受磁场的影响，故由于TMR元件的磁滞带来的影响也被大大减小了，从而实现了有效减小了零偏、温漂与磁滞的高精度电流传感器。
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公开(公告)号：CN117794348A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311380067.8
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种霍尔元件、一种霍尔芯片和一种电子设备，属于电子技术领域。霍尔元件包括：基底；一对激励电极，在所述基底上相对设置；所述一对激励电极之间相连形成的方向为第一方向；一对接地电极，在所述基底上相对设置；所述一对接地电极之间相连形成的方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向之间呈角度设置；多个输出电极，相邻的激励电极和接地电极之间设有一个输出电极。本发明的霍尔元件在基底的呈角度设置的两个方向上分别放置一对激励电极和一对接地电极，实现在单个基底的霍尔区域上形成有四个极化方向的电流，得到和四相旋转电流等效的零偏消除效果，从而实现提高带宽。
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公开(公告)号：CN117148249A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311398272.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
Inventor： 王浩 , 李良 , 杜君 , 王祥 , 李佩笑 , 姜帅 , 方东明 , 孙恒超 , 王蔓蓉 , 季润可 , 陶毅 , 刘紫威 , 李岩 , 李胜芳 , 牛长胜 , 闻志国 , 董贤光 , 孙艳玲
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，提供一种磁敏传感芯片测试装置及方法、磁敏传感芯片。所述磁敏传感芯片测试装置包括信号发生模块、高频电流放大模块、通电线圈、聚磁环以及示波器，通电线圈的导线缠绕于聚磁环的一侧，聚磁环的另一侧具有用于放置磁敏传感芯片的间隙，放置于间隙内的磁敏传感芯片的信号输出端与示波器连接；信号发生模块用于输出不同频率的波形信号；高频电流放大模块用于调节波形信号的幅值；通电线圈和聚磁环用于产生幅值增大的磁场，使通电线圈传导的波形信号在幅值增大的磁场作用下，在聚磁环的间隙内产生用于测试磁敏传感芯片的高频磁场信号或脉冲磁场信号。本发明低成本实现对线性磁敏传感芯片带宽及响应时间的测试。
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公开(公告)号：CN117098447A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311364146.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种垂直霍尔传感器及制造方法、芯片。所述垂直霍尔传感器包括：硅衬底、垂直嵌入硅衬底内的电源激励电极以及形成于硅衬底表面的霍尔电压检测电极，电源激励电极包括至少一个外围电源激励电极以及至少一个中间电源激励电极，霍尔电压检测电极位于外围电源激励电极与中间电源激励电极之间。其中，电源激励电极是通过在硅衬底中刻蚀形成深沟槽，在深沟槽内填充重掺杂的多晶硅和金属形成的。本发明采用沟槽电极结构的电源激励电极，避免了离子注入工艺形成掺杂区不均匀的问题，有效提高垂直霍尔传感器的灵敏度，减小零偏。
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公开(公告)号：CN119643950A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510164418.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，提供一种磁通门电流传感芯片及制造方法、应用方法。所述磁通门电流传感芯片包括：第一敏感单元、第二敏感单元以及第一敏感单元与第二敏感单元之间的导体通道，每个敏感单元包括磁芯和线圈，线圈包括激励线圈和感应线圈，激励线圈和感应线圈缠绕在磁芯上，感应线圈缠绕的磁芯的轴作为敏感单元的敏感轴；第一敏感单元和第二敏感单元通过感应导体通道的上表面附近的磁场和下表面附近的磁场，实现对待测电流的检测。本发明采用两个敏感单元及之间的导体通道构成差分检测结构，无需使用聚磁环结构，实现电流传感器的芯片化，检测精度高，抗干扰能力强，可实现开环闭环电流检测，能够满足多种应用场景的电流检测需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119093260A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411169043.2
申请日：2024-08-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H02G7/16
Abstract: 本发明涉及超声传感器技术领域，公开了一种柔性超声传感器除冰系统、方法、装置、设备及介质。柔性超声传感器除冰系统用于对输电线进行除冰。首先，通过在输电线上环绕式地套接的柔性超声传感器激励休眠超声波，与柔性超声传感器连接的信号采集与处理模块采集超声波并对超声波进行信号处理，得到回波幅度。然后，与信号采集与处理模块连接的控制器比较回波幅度与覆冰阈值的大小，并根据比较结果确定激励模式(休眠监测激励模式与除冰激励模式两种模式)，并基于激励模式对柔性超声传感器进行激励，上述系统能够自动检测输电线的覆冰情况，并实时根据覆冰状态选择不同的激励模式，实现除冰的智能化，使用起来更方便，确保输电线除冰的可靠性。
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公开(公告)号：CN118651819A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410784831.6
申请日：2024-06-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备，属于MEMS传感芯片技术领域。MEMS超声传感器件包括：基底，形成有第一腔和暴露第一腔的第一开口；压电振动层，设于基底上，且覆盖第一开口；钝化层，设于基底上，且环绕压电振动层布置；谐振结构，设于钝化层远离基底的一侧，谐振结构形成有第二腔、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口位于第二腔相对的两侧，第二开口朝向钝化层布置，且暴露压电振动层，第二腔和第三开口共同作用下的谐振频率等于压电振动层的谐振频率。超声传感芯片接收的声信号或发射的声信号在谐振腔内形成共振，增大超声传感芯片处的声压/往外发射的声压，增大了超声传感芯片的发射、接收灵敏度。
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公开(公告)号：CN118483628A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410946867.X
申请日：2024-07-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R33/00 , G01R33/028
Abstract: 本公开涉及磁传感技术领域，具体涉及一种磁敏元件及其制备方法、磁敏传感器、电子器件、芯片和电子设备。该磁敏元件包括：基底、有源区、激励电极和磁偏转电流检测电极；该基底位于最底层；该有源区形成于该基底上；该有源区为梳状结构，该梳状结构包括梳脊和多个梳齿，该多个梳齿从该梳脊的一侧或多侧伸出；该激励电极设置于该梳脊上或该梳脊外围，与该梳脊形成电接触，通过导线与外部电源相连，用于为该磁敏元件施加激励电流；该磁偏转电流检测电极设置于该梳齿两侧，用于检测该激励电流因磁场作用而发生偏转后所产生的电流变化。磁敏传感器包括该磁敏元件，利用该激励电流所产生的电流变化测量磁场，由此提高了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118443998A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410403040.4
申请日：2024-04-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电子传感器领域，提供一种基于磁电效应与压电效应的电流传感器及芯片。所述电流传感器包括：支撑结构、质量块、线圈、弹性梁以及设于弹性梁表面的压电转换结构，质量块与弹性梁相连，质量块悬空设于支撑结构上，线圈设于质量块的表面。压电转换结构包括第一金属层、压电材料层及第二金属层，压电材料层设于第一金属层与第二金属层之间。本发明采用磁电效应和压电效应相结合，通过选择磁电效应‑正压电效应的工作模式或磁电效应‑逆压电效应的工作模式，实现同一个电流传感器同时兼顾直流电和交流电的检测，可应用于各种电流检测场景。
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公开(公告)号：CN117098447B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311364146.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种垂直霍尔传感器及制造方法、芯片。所述垂直霍尔传感器包括：硅衬底、垂直嵌入硅衬底内的电源激励电极以及形成于硅衬底表面的霍尔电压检测电极，电源激励电极包括至少一个外围电源激励电极以及至少一个中间电源激励电极，霍尔电压检测电极位于外围电源激励电极与中间电源激励电极之间。其中，电源激励电极是通过在硅衬底中刻蚀形成深沟槽，在深沟槽内填充重掺杂的多晶硅和金属形成的。本发明采用沟槽电极结构的电源激励电极，避免了离子注入工艺形成掺杂区不均匀的问题，有效提高垂直霍尔传感器的灵敏度，减小零偏。
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