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公开(公告)号：CN112875688A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110293254.7
申请日：2021-03-18
Applicant: 中国矿业大学(北京)
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供了一种调节石墨烯禁带宽度的方法、石墨烯半导体元件、半导体和应用，涉及石墨烯技术领域。该方法通过使氧化石墨烯、任选的调节剂和水形成的第一溶液在基材表面形成薄膜，然后将形成有薄膜的基材进行干燥、加热，以使薄膜中的氧化石墨烯还原为石墨烯，任选的采用氧化剂进行处理，以调节石墨烯的禁带宽度；其中，通过采用氧化剂或者调节剂对石墨烯进行官能团修饰，使其具有一定的吸电子能力或者给电子能力，从而改变石墨烯的电子激发能，达到连续可控调节石墨烯禁带宽度的目的；另外，该方法中所采用的氧化剂或者调节剂原料廉价、易得，整个处理过程符合无污染、低能耗、低碳排放的理念。本发明还提供了一种石墨烯半导体元件和半导体。
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