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公开(公告)号：CN102593719A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210061698.9
申请日：2012-03-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台两侧光栅结构的引入改善了有源区光场分布，抑制了注入电流的横向扩展，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
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公开(公告)号：CN102545052B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210060694.9
申请日：2012-03-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台上光栅结构的引入抑制了注入到有源层载流子的侧向扩散，提高有源区载流子分布的均匀性，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
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公开(公告)号：CN103545714A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310493175.6
申请日：2013-10-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面电极和背面电极。本发明提高了激光器COD阈值，从而使其在大功率输出时具有高可靠性；同时抑制半导体激光器光束的水平发散角，改善光束质量；使电流注入更集中，转化效率更高；此外，这种半导体激光器制作简单，便于生产。
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公开(公告)号：CN110002678A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910316299.4
申请日：2019-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C02F9/14 , C02F101/30
Abstract: PNA系统后置短程反硝化实现城市污水深度脱氮控制的装置与方法，属于污水生物处理领域。在序批式反应器中以好氧-缺氧运行。将低C/N比污水进入PNA-PNAD系统。曝气阶段，AOB和Anammox共同作用利用原水NH4+-N进行自养脱氮。通过在线探头监测氨氮和硝酸盐浓度，两值接近时，停止曝气，进入缺氧搅拌，添加有机碳源，使COD/NO3--N＝3-5。缺氧搅拌阶段，反硝化细菌和Anammox协同作用进行脱氮，将剩余NH4+-N和NO3--N进一步降解，最终实现PNA-PNDA城市污水深度脱氮。本发明解决PNA应用于城市污水，出水氨氮过低导致亚硝酸盐氧化细菌(NOB)竞争性生长导致系统破坏；解决PNA处理城市污水出水硝酸盐高和氨氮不能过低问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103545714B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310493175.6
申请日：2013-10-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面电极和背面电极。本发明提高了激光器COD阈值，从而使其在大功率输出时具有高可靠性；同时抑制半导体激光器光束的水平发散角，改善光束质量；使电流注入更集中，转化效率更高；此外，这种半导体激光器制作简单，便于生产。
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公开(公告)号：CN104880314A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510344538.9
申请日：2015-06-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01M13/02
Abstract: 一种RV减速器综合性能测试仪中的新型结构，RV减速器通过连接盘与固定套连接，固定套安装在RV减速器支架上，固定套的端部与光栅外轴套连接；轴承安装在光栅内轴套和光栅外轴套之间，轴承的内、外圈分别采用内压环、外压环定位；光栅内轴套、光栅外轴套通过螺钉与外压环连接。圆光栅安装在光栅内轴套上，读数头安装在光栅外轴套上；测量主轴采用螺钉连接的方式分别与RV减速器的输出盘和簧片连接；簧片通过簧片压环与光栅内轴套连接；光栅防护罩安装在固定套的端面上。本发明采用簧片连接测量主轴与圆光栅轴系，简化了测量不同RV减速器的安装步骤；本装置可用于其他需要保证圆光栅轴系与测量轴系之间同轴转动的设计，应用范围广泛。
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公开(公告)号：CN103647216A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310571961.3
申请日：2013-11-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种具有非对称腔面非注入区窗口结构的半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层；腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边，在欧姆接触层的中心位置形成脊型台，欧姆接触层上下贯通，上限制层上下不贯通，沿着谐振腔方向，高反腔面到脊型台边缘的长度L1大于出光腔面到脊型台边缘的长度L2；电绝缘介质层覆盖于上限制层的上表面及脊型台的侧面，正面电极覆盖在电绝缘介质层和脊型台的上表面，背面电极生长在衬底上。本发明形成非对称腔面非注入区，有效地提高了半导体激光器的COD阈值，有效地改善了光束在水平方向上的发散。
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公开(公告)号：CN103560395A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310530203.7
申请日：2013-10-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种双波长输出光混频产生太赫兹波的半导体激光器及制造方法。该半导体激光器包括衬底、下限制层Ⅰ、下波导层Ⅰ、有源层Ⅰ、上波导层Ⅰ、上限制层Ⅰ、再生机构、下限制层Ⅱ、下波导层Ⅱ、有源层Ⅱ、上波导层Ⅱ、电流阻挡层、上限制层Ⅱ、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构。其中沿半导体激光器纵轴两侧，用湿法氧化法或质子轰击的方法，形成一层电流阻挡层，有效地抑制了有源区Ⅱ的电流扩展效应。本发明双波长输出的光混频产生的太赫兹波较方便、易实现且经过光腔耦合输出的光是同轴的，实现了同步控制；同轴双波长半导体激光器源使得太赫兹源结构简单、成本降低、连续输出功率大且能在室温下工作。
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公开(公告)号：CN203150900U
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201220721626.8
申请日：2012-12-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/02
Abstract: 一种改进压焊结构的半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的外延片结构；且利用湿法腐蚀将外延片两侧腐蚀P型欧姆接触层到P型限制层，深度范围为：400nm-600nm，从而形成脊形台，在半导体激光器芯片背面脊形台两侧对应的的位置腐蚀出压焊点。本实用新型提供的压焊方法接触面积大，不损伤表面，压焊方便。
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