一种受抑全内反射激光Q开关装置

    公开(公告)号:CN100588057C

    公开(公告)日:2010-02-03

    申请号:CN200810227684.3

    申请日:2008-11-28

    Abstract: 本发明涉及一种受抑全内反射激光Q开关装置,属于激光光电子技术及其应用领域。本装置主要包括折射率为n2的等腰梯形全反棱镜(11)、弹簧(12)、长方形玻璃片(13)、分光玻璃体(14)、换能器(16)和固定外框(18)。在换能器(16)的作用下长方形玻璃片(13)与等腰梯形全反棱镜(11)间的空气隙厚度d在零与波长量级间可调,空气隙厚度d决定了入射光(7)的透过率。而长方形玻璃片(13)与等腰梯形全反棱镜(11)两端处还残留空气隙,撤去换能器上的电压,长方形玻璃片将迅速恢复原状。通过调节空气隙厚度d从而改变了激光器谐振腔的Q值,实现了激光束的调制。本发明中不存在光胶的问题,并且开关反应速度快。

    大功率半导体激光阵列整形装置

    公开(公告)号:CN101442180A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200810246844.9

    申请日:2008-12-31

    Abstract: 本发明是大功率半导体激光阵列整形装置,属于激光技术应用领域。包括第一平板玻璃堆、第一直角梯形棱镜组、第二平板玻璃堆和第二直角梯形棱镜组。第一平板玻璃堆和第二平板玻璃堆的结构完全相同,只是放置方向不同。第一直角梯形棱镜组和第二直角梯形棱镜组结构完全相同,只是放置方式不同。第一平板玻璃堆对阵列的慢轴进行光束切割,第一直角梯形棱镜组将切割后的光束传播方向改为水平传播;第二平板玻璃堆在阵列的快轴方向对光束进行重排,第二直角梯形棱镜组将重排后的光束传播方向改为水平传播。该装置的效率比较高,特别适合于大功率半导体激光光束整形,同时该装置还具有成本低、加工难度小、装调方便等优点。

    实现大功率激光二极管堆光束整形的装置

    公开(公告)号:CN100460977C

    公开(公告)日:2009-02-11

    申请号:CN200710063249.7

    申请日:2007-01-05

    Abstract: 本发明为实现大功率激光二极管堆光束整形的装置,属于激光技术领域。本装置包括含有m个芭条的激光二极管堆、由m行n列反射镜组成的叠堆形阶梯反射镜(2)和第二阶梯反射镜(4),激光二极管堆的每个芭条分别与叠堆形阶梯反射镜(2)的每行反射镜相对应,第二阶梯反射镜(4)位于叠堆形阶梯反射镜(2)的正上方。来自激光二极管堆每个芭条的、经过快轴准直后的光斑(1)被叠堆形阶梯反射镜(2)反射至快轴方向,并在慢轴方向上被分割成n段,同时消除了芭条之间的暗区。该n段光束被第二阶梯反射镜(4)反射,使得光束旋转90度,实现了光束整形。本发明改善了大功率半导体激光二极管堆的光束质量,达到了光束整形的目的。

    半导体激光阵列快慢轴光束参数乘积匀称化装置

    公开(公告)号:CN101221288A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200810056016.9

    申请日:2008-01-11

    Abstract: 本发明是一种半导体激光阵列快慢轴光束参数乘积均匀化装置,属于激光技术应用领域。包括一组半导体激光阵列快慢轴准直微透镜单元、平板玻璃堆A、B和聚焦透镜组。经快慢轴准直微透镜后的光垂直入射到平板玻璃堆A,光束被分割成多份并在各自对应的平板玻璃中产生折射偏移,得到沿激光阵列快轴方向成阶梯形分布的线性光束。此梯形状线性光束再经过平板玻璃堆B,依据相同的光束重组原理,使光束沿阵列慢轴方向产生折射偏移并被进一步重排为线状的线性光束。这样半导体激光阵列发出的光束在快慢轴上有了更加接近的光束参数乘积,即快慢轴方向较平衡的光束质量。最后经过聚焦透镜组的聚焦,可得到高功率密度、高亮度的快慢轴方向均匀的聚焦光斑。

    一种半导体激光器的光谱合束装置

    公开(公告)号:CN117712822A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311730102.4

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器的光谱合束装置,包括:沿半导体激光器的光轴依次设置的快轴准直镜、慢轴准直镜、第一可旋转半波片和偏振分束器;偏振分束器的透射光束方向上依次设有第二可旋转半波片、第一柱面传输透镜和第一衍射光栅,偏振分束器的反射光束方向上依次设有第二柱面传输透镜和第二衍射光栅;一衍射光栅的‑1级衍射光作为输出光束,另一衍射光栅的‑1级衍射光束经全反射镜反射作为反馈光束回到半导体激光器;第一可旋转半波片和第二可旋转半波片可调节波片旋转角度。本发明通过在外腔中引入的可旋转半波片和偏振分束器实现输出光束和反馈光束占比的精确调节,从而在实现波长锁定的同时获得最高功率和效率的合束光束输出。

    一种全空间平面的匀光照明装置
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116379378A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310346755.6

    申请日:2023-04-03

    Abstract: 本发明公开了一种全空间平面的匀光照明装置,包括:至少一排的半导体激光光源;半导体激光光源设置在垂直于所需照明平面的长度方向;每排半导体激光光源均对应连接有用于改变半导体激光光源的激光输出功率的光源驱动电路;每排半导体激光光源的激光输出光路上均依次设置有光束准直模块、分光模块和匀光模块,匀光模块包括柱面镜和非球面反射镜,柱面镜和非球面反射镜与所需照明平面呈预设夹角设置;经准直后的一部分光束经分光模块后入射至非球面反射镜,经准直后的另一部分光束入射至柱面镜。本发明结构简单,操作方便,通过设置光束准直模块和匀光模块来实现平面的均匀照明,有效解决了实际场景中补光灯照明不均匀的问题。

    一种半导体激光器合束装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115832872A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211483859.3

    申请日:2022-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器合束装置,包括:半导体激光光源与合束装置;半导体激光器合束装置包括N个激光单元,合束装置包括N‑1个偏振合束器件与N‑2个偏振态变换器,N≥3;偏振态变换器分别设置在相邻两个偏振合束器件之间,一端的偏振合束器件的透射侧设有一激光单元,N‑1个偏振合束器件的反射侧对应设有N‑1个激光单元;上一级的偏振合束器件将透射侧的激光束和反射侧的激光束进行合束,而后将合束后的激光束入射至下一级的偏振合束器件的透射侧,并最终从另一端的偏振合束器件射出,完成N个激光单元的合束。本发明可实现对多个激光单元多次偏振合束,在相同光束质量的情况下,可大幅度提升输出光功率。

    一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法

    公开(公告)号:CN115275777A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210715111.5

    申请日:2022-06-22

    Abstract: 本发明公开了一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法包括:VCSEL内腔层和第一液晶外腔层;VCSEL内腔层为在晶圆上生长的VCSEL外延结构,VCSEL外延结构上制备出按照一定周期性排列的发光单元;第一液晶外腔层紧贴于VCSEL内腔层的出光区表面作为反射层。本发明在VCSEL阵列激光器的基础上贴合液晶层,通过调节电压改变液晶层折射率值,进而调整发光单元之间的相位差和光束方向,解决传统VCSEL阵列激光器光束质量差的问题,实现高光束质量的同相模相干阵激光输出。

    一种超大面积同轴激光相干阵光源自扩束聚焦系统及制备方法

    公开(公告)号:CN114384705A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202210039167.3

    申请日:2022-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种超大面积同轴激光相干阵光源自扩束聚焦系统及制备方法,包括多层折叠架、固接于多层折叠架的内侧面的反光薄膜、支撑杆和相干阵激光芯片,支撑杆其穿过反光薄膜并与多层折叠架的中心固定连接,且支撑杆与多层折叠架之间还设有牵引件,调节牵引件的位置,使得反光薄膜形成反射凹面;相干阵激光芯片发射的激光,通过反射凹面的焦点,照射到反射凹面上,经过反射凹面反射后形成反射激光,反射激光在反射凹面下方聚焦,聚焦的光斑半径大于激光发射面半径,实现光源的自扩束聚焦。本发明打破了火箭空间对太空反射镜尺寸的限制,制备碳纤维材料的反射镜,可以实现多层折叠,从而扩大了反射镜的尺寸,得到巨型太空反射镜。

    一种半导体激光器光束质量因子的测量方法及装置

    公开(公告)号:CN113063565A

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202110286346.2

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器光束质量因子的测量方法及装置,包括:对半导体激光器出射的光束进行两次聚焦,两次聚焦后形成两个光束束腰,通过光强探测器对两个光束束腰的光强分布进行测量,根据测量到的所有光强分布构建wigner分布函数,再根据wigner分布函数的性质代入光束质量因子的公式中计算半导体激光的光束质量因子M2。本发明将半导体激光器的相干性考虑其中,可全面准确的描述半导体激光器的光束质量,有利于半导体激光器的设计及其光束质量的提高。

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