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公开(公告)号：CN212392204U
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202021115726.7
申请日：2020-06-16
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: H01J1/312
Abstract: 本实用新型公开了一种片上级联电子源及真空电子器件。片上级联电子源包括衬底和多个隧穿结，多个隧穿结均设置于衬底上且至少两个隧穿结之间通过串联的方式相连；其中，隧穿结包括一对金属性电极和绝缘层，绝缘层分别与一对金属性电极相连。真空电子器件包括本实用新型一个或多个实施例的片上级联电子源。与常规的片上电子源相比，本实用新型能够显著地提高片上电子源的电子发射效率、增大电子源的集成度及增加电流发射密度，以使片上电子源具有更大的整体发射电流；而且本实用新型提供的片上级联电子源还具有成本低、尺寸小等突出优点；所以本实用新型提供的电子源能够广泛地应用于涉及电子源的各种电子器件，尤其是微型或小型真空电子器件。
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