公开(公告)号：CN114883163B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210781860.8

申请日：2022-07-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 谢华木 ,  赵永龙 ,  欧阳东明

IPC: H01J35/06 ,  H01S4/00

Abstract: 本发明公开了一种兼具高量子效率与低本征发射度的透射式半导体光阴极及方法。本发明采用具有陷光结构的透射式光阴极，陷光结构为在透明导电基底的下表面刻蚀出具有周期性结构的凹槽阵列，降低基底对入射激光的反射，从而提高对入射激光的吸收；透明导电基底的表面具有陷光结构能够改变入射激光的传输行为，减小透明导电基底的反射率，同时增加半导体光阴极薄膜层对入射光的吸收；采用激光背入射，光电子在发射前具有更长的传输距离后充分热化，从而降低了光阴极产生电子束的横向平均能量和本征发射度；本发明采用透射式激光驱动光阴极的方式，有利于得到低发射度电子束，对于硬X射线自由电子激光和超快电子衍射等各方面应用都具有重要意义。

公开(公告)号：CN110288092B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201910255905.6

申请日：2019-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 谢华木 ,  林林 ,  刘克新

IPC: G06N10/00

Abstract: 本发明公开了一种超导量子比特的长寿命存储装置及其存储方法。本发明采用高品质因数的三维椭球射频超导薄膜腔，相对于目前所用的矩形腔，有较大优势：品质因数高达1010；并将超导量子比特与超导腔进行耦合，将超导量子比特的退相干时间提高到百毫秒～秒量级，从而为实现对量子比特的操控、测量以及量子存储扫清障碍；本发明将有利于得到长寿命的超导量子比特，对于量子计算，量子存储，量子信息以及量子通讯等各方面都具有重要意义；本发明首次将三维椭球射频超导薄膜腔应用在超导量子计算中，将成熟的超导腔技术与新兴的超导量子计算相结合，把超导量子计算向前推进一步。

公开(公告)号：CN112215360A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010875700.0

申请日：2020-08-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 谢华木 ,  刘克新

IPC: G06N10/00

Abstract: 本发明公开了一种长退相干时间的超导量子比特存储装置和方法。其中，所述装置包括：四分之一波长超导谐振腔，一端设有超导量子比特安装槽的介质杆，束管，耦合天线，以及两个安装板等。本发明首次将四分之一波长超导谐振腔应用在超导量子计算中，创造性的解决了量子比特样品与三维超导腔耦合时将三维超导腔品质因数下降的问题，把超导量子计算向前推进一步。

公开(公告)号：CN107653443A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710840012.9

申请日：2017-09-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 谢华木 ,  全胜文

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54 ,  H01J23/04

CPC classification number: C23C14/30 ,  C23C14/541 ,  H01J23/04

Abstract: 本发明公开了一种极高真空系统中的双碱光阴极镀膜组件及控制方法。本发明的碱金属光阴极镀膜组件包括：基底旋转机构、中心支撑杆、六通、可压缩波纹管、波纹管法兰、液氮罐、热锚、样品台、加热元器件、基底固定位置和固定金属板；本发明的样品平台在极高真空(2～5×10-9Pa)下具备加热、冷却、测温、测量光电流、线性移动与旋转的能力，样品台的温度范围可以控制在4～800K；可制备多种不同类型阴极；采用多种类型基底；样品台的线性移动距离400～600mm；样品台可拆卸；应用在极高真空环境下，能够满足同时对基底进行加热、冷却、旋转、测温和测量光电流等各项功能；加热、冷却、测温均不影响基底的绝缘，能够监测阴极基底所发射光电流。