-
公开(公告)号：CN103884605B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410119092.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明涉及一种利用表面断裂强度检测刻蚀表面质量的方法及装置。该方法采用包含刻蚀表面的等强度梁，利用探针台探针对所述等强度梁的刻蚀表面施加位移负载，直至所述等强度梁断裂；然后测量所述等强度梁断裂时刻蚀表面受到的应力，得到表面断裂强度，利用该断裂强度判定刻蚀表面的质量。该装置包括等强度梁和片上多功能针头；所述片上多功能针头包括针尖，支撑针尖的弹性结构，以及测量所述针尖的位移的测力标尺。本发明从断裂强度角度去检测和评价表面质量，能够反映刻蚀表面的粗糙、微裂纹水平，对器件性能、可靠性具有更高的参考价值，操作简单，通用性强。
-
公开(公告)号：CN103058123B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310012806.8
申请日：2013-01-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于表面牺牲层工艺制作的自封装的MEMS器件以及采用该器件结构的红外传感器。该MEMS器件包括基片、衬底保护层、下电极、下电极保护层、结构层、金属层以及封装层，所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的封装腔室内，所述封装腔室通过在释放MEMS器件结构时利用粘附效应将封装层粘附在下电极保护层上而形成。本发明适用于红外传感器等具有可动结构的MEMS器件，MEMS器件本身和封装一起完成，封装周期短，工艺质量和成品率高，适于批量大规模生产。
-
公开(公告)号：CN104697700A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510063605.X
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法，优选采用TSV和CMP工艺来实现。其中硅应变膜的厚度可以利用TSV工艺提前确定，在利用CMP工艺进行硅片减薄时可以自停止在TSV金属填充孔位置，可以大幅提高硅应变膜厚度的控制精度，大幅提高芯片成品率；在完成键合面金属引线和键合面绝缘介质隔离层的制备后利用CMP工艺对待键合硅面做平整化处理，可以有效的提高硅玻璃阳极键合的气密性和强度，提高芯片长期可靠性；同时，通过键合面绝缘介质隔离层的制备有效避免了阳极键合过程中的高能离子对键合界面金属引线的损耗，可以有效提高金属电信号连接的可靠性。
-
公开(公告)号：CN104003350A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410205595.4
申请日：2014-05-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于体硅谐振式压力传感器的圆片级封装方法，其步骤包括：1)根据谐振式压力传感器的结构选取合适的SOI硅片和进行阳极键合的玻璃片；2)对SOI硅片的器件层进行台阶刻蚀，形成器件结构；3)去除部分埋氧层，释放器件结构；4)将SOI片和玻璃片进行真空阳极键合；5)对硅片进行减薄；6)通过光刻定义引线窗口，然后刻蚀硅，露出埋氧层；7)去除引线窗口内的埋氧层；8)在硅片表面淀积二氧化硅，形成电学隔离；9)对淀积的二氧化硅进行刻蚀，形成pad孔；10)淀积金属pad。本发明采用圆片级封装，工艺流程简单，能够大大降低体硅谐振式压力传感器的真空封装成本。
-
公开(公告)号：CN103207545A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310097604.8
申请日：2013-03-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法，其步骤包括：1）清洗基片，并在基片上涂敷黏附层；2）在黏附层上旋涂剥离层光刻胶；3）对基片进行烘烤；4）在剥离层光刻胶上旋涂具有紫外敏感特性的电子束光刻胶；5）对基片进行烘烤；6）对电子束光刻胶进行电子束曝光；7）显影电子束光刻胶；8）采用紫外线照射显影后的电子束光刻胶图形，使其交联固化；9）显影剥离层光刻胶。本发明利用电子束光刻胶本身的紫外敏感特性，通过紫外线固胶的方式提高LOL剥离层和电子束光刻胶显影速度之比，解决双层胶的工艺兼容性问题，得到陡直的光刻胶侧壁。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103058123A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310012806.8
申请日：2013-01-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于表面牺牲层工艺制作的自封装的MEMS器件以及及采用该器件结构的红外传感器。该MEMS器件包括基片、衬底保护层、下电极、下电极保护层、结构层、金属层以及封装层，所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的封装腔室内，所述封装腔室通过在释放MEMS器件结构时利用粘附效应将封装层粘附在下电极保护层上而形成。本发明适用于红外传感器等具有可动结构的MEMS器件，MEMS器件本身和封装一起完成，封装周期短，工艺质量和成品率高，适于批量大规模生产。
-
公开(公告)号：CN102944339A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210404856.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，该MEMS压阻式压力传感器包括应变膜和压敏电阻，应变膜的正面边缘分布有岛结构，压敏电阻位于所述岛结构上。在制备时基片正面岛结构的制作在背腔各向异性腐蚀之前，避免正面制作岛结构时应变膜出现崩裂。本发明的压力传感器同时具有高灵敏度和高线性度，其制备方法与传统工艺兼容，成品率高。
-
公开(公告)号：CN100435272C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510012079.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。
-
公开(公告)号：CN1877275A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610083449.4
申请日：2006-05-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/04
Abstract: 本发明提供一种MEMS力学微探针及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域。该探针包括：探针体和衬底，探针体和衬底通过固定锚点固定连接，探针体包括：T型探针头、着力质量块、弹性梁及标尺结构，T型探针头与着力质量块通过弹性梁连接，形成探针可动结构，探针可动结构再通过一组弹性梁结构与固定锚点相连接，悬浮于衬底之上，标尺结构分为定尺、动尺I和动尺II三个部分，动尺I与T型探针头部相连，动尺II与着力质量块相连，定尺固定在衬底上。本发明利用弹性梁受力形变与所受外力成正比的原理，读出被测样品所受力的大小，具有读数简单、工艺易于实现的特点。
-
公开(公告)号：CN119574337A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411567485.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热驱的微梁弯曲强度在线检测系统、制造方法及应用，属于微电子机械系统领域。本在线检测系统包括片上试验机和片上被测试样，片上试验机主要包括热驱加载执行器、双梁隔热结构、V型放大杠杆、感兴趣区域定位标记结构和双锤头结构，片上被测试样主要包括刚性块状结构、弯曲测试梁和弹性悬挂折叠梁。本发明的片上试验机依靠自身的电阻梁发热进行能量加载和释放，能够实现上电后全自动的弯曲断裂强度在线检测及测试结果提取，可用来进行深刻蚀释放工艺的监控以及对于MEMS器件结构的可靠性预测。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
96
records
(took 0.028 seconds)
