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公开(公告)号：CN104575869B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510013392.X
申请日：2015-01-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布一种透明导电电极的图案化刻蚀方法和图案化透明导电电极，包括步骤：制成待图案化的电极；其上制备图案化的保护层；置于刻蚀液或气体中刻蚀；置于清洗液中清洗去掉刻蚀产物和保护层。用本发明方法对金属纳米线进行网格状图案化，制备成一种网格状图案化的透明导电电极。本发明通过气体或较低浓度的刻蚀液对金属或金属纳米线薄膜实现快速、低成本且安全低毒的化学刻蚀，既可彻底刻蚀，也能无影刻蚀，且安全低毒、刻蚀速度快，在实际应用中效果显著。制成的网格状图案化透明导电电极综合纳米线和纳米网格透明电极的优点，在导电性损失极小的前提下大幅提高透明度，性能良好。
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公开(公告)号：CN105225909A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510592044.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/20
Abstract: 本发明公开了一种扫描电镜样品台定位装置及其定位方法。本发明的定位装置包括：摄像头、图像采集系统调节架、图像采集系统基台、样品台座、定位样品、图像控制器和数据处理及输出系统；本发明通过引入定位样品台，结合图像采集与处理过程，采用扫描电镜样品台坐标系标定方法，实现了样品台上不同样品位置的定位，省去了在扫描电镜小视野中通过小范围移动样品台来进行样品寻找和定位的繁琐且易出错的过程，实现样品的准确、快速定位，极大提高了扫描电镜实验效率，能够为扫描电镜用户节省大量样品搜索与定位所花费的时间与费用。
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公开(公告)号：CN104330430A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410446840.0
申请日：2014-09-02
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/227
Abstract: 本发明公开了一种光阴极材料光电子发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、光阴极组件、电源系统、光电子成像系统、数据采集系统、激光激发系统以及聚焦面镜。本发明通过在真空腔室内部设置聚焦面镜，聚焦面镜的焦点位于光阴极材料的表面，通过调节激光束的入射位置，实现激光入射角度的连续变化，并且可以改变激光的波长和偏振态，可原位测量得到光电子发射特性的全部参数。本发明的方法省去分立角度入射激光激发模式中频繁在真空腔室外部调节激光光路的一系列繁琐步骤，仅需要改变激光束的入射位置便可改变入射角度，且克服了分立角度入射带来的角度不连续问题。
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公开(公告)号：CN103956312A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410158109.8
申请日：2014-04-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源发射体表面涂层处理装置及其处理方法。本发明的处理装置包括：反应室、真空抽气系统、真空度测量系统、供氧系统、电子源电源、加热带、观察窗和比色测温仪。本发明采用反应室连接真空抽气系统、真空度测量系统和供氧系统，能够对氧化环境、真空度、温度和处理时间的精密控制；实现在单晶钨丝的表面形成均匀的氧化锆涂层，显著的降低了单晶钨丝作为发射体的攻函数，从约4.7eV降低到约2.8eV，有利于发射体中电子的场致发射，也降低了发射体尖端需加载的电场强度的要求，减少了发射体尖端放电的危险，通过这种方法制备的场发射电子源的工作时间超过2000小时，有效地延长了场发射电子源的工作寿命。
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公开(公告)号：CN119833204A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510074475.3
申请日：2025-01-17
Applicant: 北京大学长三角光电科学研究院
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，本发明提供了一种透明导电玻璃及其制造方法，所述透明导电玻璃包括玻璃基体，以及在所述玻璃基体的表面上设置的透明导电膜；还包括在所述玻璃基体中嵌入的金属网格，在所述玻璃基体与所述透明导电膜的界面处，所述金属网格与所述透明导电膜相接触并形成电性连接；本发明通过设置嵌入式的金属网格，其不会凸出而影响表面平整性，因此，既能依托于金属优良的导电性有效降低导电玻璃的电阻，又能保证与玻璃基体及透明导电膜的连接更加紧密，且不会影响透光性以及后续的加工利用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119546048A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411646656.0
申请日：2024-11-18
Applicant: 北京大学长三角光电科学研究院
Abstract: 本发明提供一种具有双模式端口的叠层太阳能电池以及制备方法和应用，属于太阳能电池技术领域。叠层太阳能电池为两端叠层太阳能电池或四端叠层太阳能电池；叠层太阳能电池包括顶电池、底电池以及位于顶电池和底电池之间的双面导电网格薄膜；双面导电网格薄膜包括金属网格以及填充至金属网格网眼处的柔性透明层。本发明以双面导电网格薄膜作为中间连接层，提供了可选择的端口使用方式。在两端叠层电池中，顶电池和底电池可独立制备，提高电池效率，节省两端叠层电池的制备周期；在四端叠层电池中，顶电池具备轻量化、体积小、成本低的优点，且底电池无须额外的制备金属电极栅线，又解决了四端叠层电池重量大的问题。
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公开(公告)号：CN113707812B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110912598.1
申请日：2021-08-10
Applicant: 北京大学长三角光电科学研究院
Abstract: 本发明公开了随机金属网格超薄柔性透明电极和光伏器件及其制备方法。本发明采用在硬质生长基底上形成随机龟裂的牺牲层，再在牺牲层的表面以及随机龟裂的缝隙之间的硬质生长基底上形成金属层，除去牺牲层后再对金属加厚，得到随机金属网格，然后制备柔性薄膜；将柔性薄膜与随机金属网格一同从硬质生长基底上揭下，使得原本与硬质生长基底接触的平坦表面暴露出来，作为平坦化的超薄柔性电极的表面；本发明有效解决了金属网格摩尔纹及表面粗糙度的问题；通过将随机金属网格埋入柔性薄膜，使得随机金属网格的厚度不再受限，能够在保证透明度的同时实现极高的导电性；同时，本发明能够基于透明电极实现超薄(
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公开(公告)号：CN111430541B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201910018258.7
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于图案化钙钛矿单晶阵列的防伪结构及其制备和应用。本发明的防伪结构是在基底上形成一层图案化模板层，然后在其中生长钙钛矿单晶阵列，根据钙钛矿单晶生长的随机性，并通过钙钛矿单晶阵列的形式强化了其不可重复性，能有效实现防伪的目的。通过在钙钛矿单晶阵列上添加透明顶部保护层还能避免钙钛矿材料和空气接触，提高该种结构的稳定性，同时能有效防止铅泄露，避免对环境造成污染。
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公开(公告)号：CN113296372A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110566122.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协议和接口，用户可仅掌握顶层控制命令即可实现系统操控；静电偏转信号发生器中信号的线性放大增益可调，使得系统功能设计和性能调整具有很大的自由度；此外，系统在控制参数作用下，将原始的扫描信号实时转化生成为静电偏转器各个偏转电极上施加所需的高压偏转信号，保证了扫描信号生成速度，实现了各个偏转电极上高压偏转信号的系统控制。
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公开(公告)号：CN109904318B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910082871.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种基于反溶液浴的钙钛矿薄膜制备方法及太阳能电池。通过在反溶剂中加入适当的溶质以配制具有不同功能的反溶液，实现了钙钛矿薄膜的结晶控制和形貌调控，同时钝化了钙钛矿薄膜与载流子传输层的界面，减少了表面缺陷态和界面复合，提高了界面处的载流子浓度和抽取效率，更有利于载流子的传输。通过反溶液浴法制备的钙钛矿太阳能电池，具有较高的光电转换效率和良好的稳定性。该制备方法简便且生产周期较短，可控性和重复性强，在大面积、规模化的钙钛矿太阳能电池的生产制备中极具应用前景。
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