公开(公告)号：CN113329194B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202110425927.X

申请日：2021-04-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 杜刚 ,  刘力桥

IPC: H04N5/378

Abstract: 本申请涉及传感器技术领域，具体而言，本申请涉及一种提取即时运动的图像传感器及其方法。所述传感器包括帧间差分像素，所述帧间差分像素包括感光差分单元、复位单元及输出单元，其中，感光差分单元包括光电二极管、电容和第一晶体管，光电二极管一端连接电源、另一端连接第一晶体管的栅端，该端定义为光生电荷存储节点，第一晶体管的源极连接电源、漏极连接所述电容的上极板，光电二极管用于接收像素上的入射光信号并将其转化为光生电荷存储在光生电荷存储节点。本申请的图像传感器，没在像素中增加复杂的功能模块，在像素阵列信号读出电路中对数据进行选择性输出，能有效减少图像数据传输量、图像处理延迟与资源消耗，进而提高图像处理效率。

公开(公告)号：CN110581190A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910785417.6

申请日：2019-08-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 杜刚 ,  刘力桥 ,  刘晓彦

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请公开了一种适应亚微米像素的UTBB光电探测器、阵列和方法，包括：硅膜层、埋氧层、掺杂层和衬底，所述衬底、掺杂层、埋氧层和硅膜层依次从下至上设置；所述硅膜层包括相邻的一个NMOS管和一个PMOS管；所述掺杂层包括多个交替排列的N型掺杂区和P型掺杂区。所述NMOS管为一个像素单元，所述PMOS管为一个像素单元。通过在掺杂层采用横向电场，主动使信号电荷向像素内聚集，抑制串扰的能力更强，而且无需浅槽隔离，可以使像素单元进一步缩小。采用横向PN结感光结构，PN结的横向自建电场与埋氧层下垂直方向电场共同作用，使得光生电子可以漂移并聚集在埋氧层下方。横向电场的存在提高了光电转化效率，抑制了像素间串扰，使其更适合于亚微米像素。

公开(公告)号：CN108666336A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810528240.7

申请日：2018-05-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 杜刚 ,  刘力桥 ,  沈磊 ,  刘晓彦

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种UTBB光电探测器阵列及其工作方法，其中，光电探测器的阵列包括：由栅极公共端组成的字线、由漏极公共端组成的位线、由公共源极组成的共源端以及由具有不同掺杂类型区域的衬底分别组成的势阱端。所述双工作模式包括：通过一个包含双阱结构的全像素单元进行光采集，使得光电探测器实现高灵敏度的工作模式；以及将一个像素单元拆分成两个半宽度像素，每个半宽度像素单独完成一个像素点光信号的采集，使得光电探测器实现高分辨率的工作模式。本发明的优点是，通过所述的UTBB光电探测器阵列及其工作方法，在不改变原有器件性能的基础上，使得具有UTBB结构的光电探测器同时具有高分辨率和高灵敏度两种工作模式。