-
公开(公告)号：CN113505016A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110771728.4
申请日：2021-07-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江西省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，提供一种总线传输故障检测方法、总线系统及芯片。所述总线传输故障检测方法包括：对接收到的地址信号和数据信号中的校验值进行验证；根据校验值验证结果确定地址信号和数据信号的传输故障，所述地址信号和所述数据信号通过基于AHB‑Lite协议的总线传输；对AHB‑Lite协议定义的控制信号进行传输校验，根据传输校验结果确定控制信号的传输故障。本发明的方案能够保证AHB‑Lite总线传输的正确性。
-
公开(公告)号：CN113176983B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110720483.2
申请日：2021-06-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心) , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及CPU技术领域，提供一种程序流监控方法及程序流监控系统、CPU、芯片。所述程序流监控方法包括：通过在程序中设置的监控点对所述程序的程序流的执行信息进行记录，确定所述程序流的执行轨迹；根据记录的所述程序流的执行信息确定所述程序流的预期执行时间；统计所述程序流的实际执行时间；根据所述程序流的实际执行时间与所述程序流的预期执行时间的对比结果确定所述程序流是否按照预期执行。本发明从时间和空间相结合的维度来判断程序流是否按照预期执行，提高程序流监控的准确性，可同时实现对程序流的执行时间和执行轨迹进行监控，增强程序流执行的可靠性。
-
公开(公告)号：CN113313533A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110684181.4
申请日：2021-06-21
Applicant: 国网信通亿力科技有限责任公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网福建省电力有限公司厦门供电公司 , 国家电网有限公司大数据中心
Abstract: 本发明公开了一种利用电力数据进行宏观经济预测和监测的方法，基于分行业、分产业的售电量以及工业增加值的数据，进行数据清洗处理，通过季节性调节方法剔除节日因素对数据波动的影响；以工业增加值为基准，通过时差相关性计算方法，计算售电量与工业增加值之间的相关性，根据计算结果选取指标；对选取的指标进行标准化处理，以便于不同量级的数据能够进行对比；对选取的指标进行分组，根据分组合成不同合成指数；构建评价模型，进行计算，根据计算结果评价指数的判断准度。本发明属于经济预测和监测技术领域，具体是一种采用真实用电数据与经济数据进行拟合，形成可按地域、按产业的电力洞察宏观经济的指数的宏观经济预测与监测方法。
-
公开(公告)号：CN113254083A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110717773.1
申请日：2021-06-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心) , 国家电网有限公司
IPC: G06F9/38
Abstract: 本发明涉及处理器领域，提供一种指令处理方法、指令处理系统及处理器、芯片。所述指令处理方法包括：取指级取回指令并缓存；译码级读取取指级缓存的指令并对读取的指令进行译码处理，判断译码后的指令中是否存在IT指令，在确定存在IT指令时对所述IT指令的后续相关联的IT区块指令进行处理；执行级执行译码后的指令，将当前执行结果状态信息反馈到所述译码级。本发明在一时钟周期可以读取多条指令，至少节约一个时钟周期，提高流水线执行效率，从而提高处理器的效率。
-
公开(公告)号：CN112649699B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202011455709.2
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明涉及芯片测试领域，提供一种确定器件故障点的测试方法及装置。所述确定器件故障点的测试方法包括：按时间顺序对器件的介质层施加恒定电压和脉冲电压；监测所述脉冲电压的变化情况，根据所述脉冲电压的变化情况确定所述器件的介质层是否被击穿；在确定所述器件的介质层被击穿这一时刻停止施加所述脉冲电压，根据所述介质层的击穿情况确定所述器件最早发生故障的故障点。本发明在器件介质层被击穿的最早时期，能够立即感知到电压的变化，并立即停止施加电压。此时器件介质层击穿损坏不严重，可根据损坏情况精确定位器件最早发生故障的故障点的位置，从而分析出导致失效的具体原因，促进设计改进和制造工艺改进。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109831290B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910069790.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 上海交通大学 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H04L9/00
Abstract: 一种针对基于CAVE算法认证协议的侧信道分析方法，通过采集cdmaOne的认证协议在移动设备上运行时产生的包含CAVE算法执行信息的功耗曲线，从功耗曲线中解析出CAVE算法执行参数，从而恢复出cdmaOne的认证协议所使用的密钥。本发明利用简单功耗分析和相关性功耗分析作为基础攻击工具，根据CAVE算法结构，构造综合攻击方法，通过该方法恢复cdmaOne认证协议中使用的密钥A‑key。本方法适用于任何使用基于CAVE算法认证协议的密码系统。
-
公开(公告)号：CN112834890A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
-
公开(公告)号：CN112231695B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011484779.0
申请日：2020-12-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 武汉大学 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F21/52
Abstract: 本发明涉及信息安全技术领域，提供一种基于分支预测机制的攻击方法及系统、存储介质。所述方法包括：基于分支预测机制构建针对目标程序的分支预测信息矩阵；对符合所述目标程序的输入数据规则的明文数据进行选择；将选择后的明文数据作为所述目标程序的输入数据或部分输入数据，采集所述目标程序运行的时间样本数据；根据所述分支预测信息矩阵确定与所述时间样本数据相对应的秘密信息。本发明在攻击过程中利用了目标程序运行的整体时间数据，对采集时间点位要求低，能够对泄露信息（秘密信息）进行整体刻画，减少对目标程序的控制要求，并且通过统计分析的方式进行攻击，对泄露的刻画更精确，提升时间攻击检测的精准性。
-
公开(公告)号：CN112000584B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011160052.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明涉及程序调试技术领域，提供一种基于IDE调试框架的用于CPU程序的调试方法、调试系统以及存储介质。所述调试方法包括：根据CPU程序的调试状态创建与所述调试状态相对应的启动程序；判断所述启动程序的类型，根据所述启动程序的类型确定是否创建调试程序。本发明基于IDE调试框架改进用于CPU程序的调试方法，对调试的启动程序进行分类，根据启动程序的类型确定是否创建调试程序。在CPU程序处于调试状态时，在用户错误操作或多次点击Debug按钮情况下能够对已创建的调试程序进行保护，使IDE开发环境容错性更好，保证IDE开发环境处于健康状态，大大提升研发效率。
-
公开(公告)号：CN109444547B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201811400959.9
申请日：2018-11-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量方法及装置，RFID芯片阻抗测量方法包括如下步骤：制作二端口微带线电路板，其中，二端口微带线电路板包括直通微带线电路板以及与直通微带线电路板等长度的带被测物的微带线电路板；校准矢量网络分析仪；测试直通微带线电路板的S参数；测试带被测物的微带线电路板的S参数；基于直通微带线电路板的S参数得到针对直通微带线电路板的第一传输矩阵；基于带被测物的微带线电路板的S参数得到针对带被测物的微带线电路板的第二传输矩阵；基于第一传输矩阵以及第二传输矩阵，计算T矩阵；以及基于T矩阵，计算RFID芯片阻抗。本发明的RFID芯片阻抗测量方法的测量结果更精准，且算法相对简单。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
126
records
(took 0.124 seconds)
