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公开(公告)号：CN116964759A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280018054.3
申请日：2022-02-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种紫外线发光元件用外延片的制造方法，其具有：准备至少一个表面由氮化镓构成的支撑基板的工序；在所述支撑基板的由所述氮化镓构成的所述表面形成接合层的工序；在所述接合层上贴合由AlxGa1‑xN(0.5＜x≤1.0)单晶构成的晶种，形成具有晶种层的贴合基板的工序；及使至少包含由AlyGa1‑yN(0.5＜y≤1.0)构成的第一导电型包覆层、AlGaN系活性层及由AlzGa1‑zN(0.5＜z≤1.0)构成的第二导电型包覆层的紫外发光元件层在所述贴合基板的所述晶种层上外延生长的工序。由此，提供一种平价且高质量的紫外线发光元件用外延片的制造方法。
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公开(公告)号：CN109643744B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109643744A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
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公开(公告)号：CN106102449A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014018.X
申请日：2015-03-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: A01G7/00
CPC classification number: A01G7/045 , Y02P60/149
Abstract: 本发明是一种植物育成用照明装置，包含红光LED，发光波长为在600～680nm间；以及远红光LED或红外光LED，发光波长为在700～900nm间。该红光LED所发出红光与远红光LED或红外光LED所发出远红光及红外光系为能以脉冲状交互地照射。借此提供一种促进植物光合作用，植物生长良好的植物育成用照明装置及植物育成方法。
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公开(公告)号：CN100459182C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200380109980.9
申请日：2003-12-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079
Abstract: 在本发明的发光元件(100)中，以具有发光层部(24)的化合物半导体层的第一主表面作为光取出面，在该化合物半导体的第二主表面侧，透过具有反射面的主金属层(10)结合元件基板(7)而构成；该反射面使来自该发光层部(24)的光向该光取出面侧反射，其特征在于：该元件基板(7)是以导电型为p型的Si基板所构成，且在该元件基板(7)的主金属层侧(10)的主表面正上方形成以Al为主成分的接触层(31)。藉此提供：在具有透过金属层使发光层部与元件基板贴合的构造的发光元件中，具有良好的导电性的发光元件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1264229C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN01819811.2
申请日：2001-11-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/365
Abstract: 本发明的发光组件(1)，具有由p型被覆层(2)、活性层(33)以及n型被覆层(34)依这一顺序叠层而得到的发光层部，且p型被覆层(2)由p型MgxZn1-xO(其中，0＜x≤1)层构成。再者，利用MOVPE法形成该层，这样可有效地抑制成膜中氧缺损的发生，得到具有良好特性的p型MgxZn1-xO层。
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公开(公告)号：CN1667849A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510053612.8
申请日：2005-03-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其在发光层部通过反射用金属层将补强用导电基板贴合，既容易制造，又可良好地维持金属层所形成的反射面的反射率。发光元件具有化合物半导体层，该层具有发光层部及形成于该发光层部的第一主表面上的电流扩散层。该化合物半导体层的第二主表面，是通过反射金属层结合于构成导电性元件基板的Si基板的第一主表面上。反射金属层10是由以Au、Ag、或Al之任一作为主成分的金属构成。反射金属层与Si基板通过导电性粘着材层11贴合，该导电性粘着材层11是将以Au、Al、Cu、或Ni为主成分的金属粒子，以环氧系高分子材料、氨基甲酸系高分子材料或丙烯酸系高分子材料等构成的高分子结合材料结合而构成。
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