公开(公告)号：CN108701593B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201780011704.0

申请日：2017-01-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 若林大士 ,  二井谷美保 ,  目黑贤二

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明是一种半导体晶圆的热处理方法，其在单片式的热处理炉内配设有能够载置半导体晶圆的基座，并对载置于该基座的半导体晶圆进行热处理，其特征在于，在所述热处理前，在所述热处理炉内，进行以比所述热处理的温度低的规定温度保持规定时间的预备加热，在该预备加热中，使所述半导体晶圆从所述基座分离并进行保持。由此，提供一种半导体晶圆的热处理方法，该方法即使在高温热处理时也不会大幅降低生产性，并能够抑制半导体晶圆的滑移。

公开(公告)号：CN106233425B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201580020538.1

申请日：2015-03-04

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 若林大士 ,  目黑贤二 ,  中野正刚 ,  八木真一郎 ,  吉田知佐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明是关于一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于将均以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中包含：将基底晶圆的贴合面侧堆积多晶硅的步骤，研磨多晶硅层的表面的步骤，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜的步骤，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤；使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积多晶硅层的表面预先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积分为二个阶段进行，包含以1010℃以下的第一温度进行的第一成长，及以较第一温度更高温的第二温度进行较第一成长更厚的堆积的第二成长。借此，即使在用以作为载子捕陷层而运作的多晶层的厚度已堆积至充分的厚度时，也能抑制基底晶圆的翘曲的扩大，同时防止多晶硅的单晶化。

公开(公告)号：CN108701593A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780011704.0

申请日：2017-01-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 若林大士 ,  二井谷美保 ,  目黑贤二

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明是一种半导体晶圆的热处理方法，其在单片式的热处理炉内配设有能够载置半导体晶圆的基座，并对载置于该基座的半导体晶圆进行热处理，其特征在于，在所述热处理前，在所述热处理炉内，进行以比所述热处理的温度低的规定温度保持规定时间的预备加热，在该预备加热中，使所述半导体晶圆从所述基座分离并进行保持。由此，提供一种半导体晶圆的热处理方法，该方法即使在高温热处理时也不会大幅降低生产性，并能够抑制半导体晶圆的滑移。