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公开(公告)号：CN111788662A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880089052.7
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322
Abstract: 本发明为一种单晶硅晶圆的热处理方法，其为在氮化性气氛下对Nv区域的单晶硅晶圆进行RTA热处理后，进行第二热处理而将BMD密度控制至规定的BMD密度的热处理方法，所述单晶硅晶圆的热处理方法中，预先求出BMD密度与RTA温度的关系的关系式，根据所述关系式，确定用于得到所述规定的BMD密度的RTA温度。由此，提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其用于制造表面无缺陷且在块体部分具有规定的BMD密度的退火晶圆及外延晶圆。
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