公开(公告)号：CN103377791B

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201310240263.5

申请日：2013-04-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 永田浩昭 ,  合木裕二 ,  榊一晃 ,  野村忠雄 ,  广田晃一 ,  中村元

IPC: H01F7/02 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02 ,  B22F3/10

CPC classification number: H01F41/0293 ,  B22F3/1017 ,  B22F3/26 ,  B22F2003/248 ,  B22F2301/35 ,  B22F2998/10 ,  C21D6/004 ,  C21D6/005 ,  C21D6/007 ,  C21D6/008 ,  C22C28/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/007 ,  C22C38/008 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/105 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16 ,  C22C38/20 ,  C22C38/60 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0311 ,  H01F1/0536 ,  H01F1/0577 ,  H01F1/058 ,  H01F41/005 ,  H01F41/0266

Abstract: 本发明涉及一种稀土烧结磁体及其制备方法。具体地，该稀土烧结磁体是各向异性烧结体，其包含作为主相的Nd2Fe14B晶体相，并具有组成R1aTbMcSidBe，其中R1为包括Sc和Y的稀土元素，T为Fe和/或Co，M为Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta或W，“a”到“e”为：12≤a≤17、0≤c≤10、0.3≤d≤7、5≤e≤10，余量为b，其中Dy和/或Tb从烧结体表面扩散进入烧结体内。

公开(公告)号：CN103377791A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310240263.5

申请日：2013-04-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 永田浩昭 ,  合木裕二 ,  榊一晃 ,  野村忠雄 ,  广田晃一 ,  中村元

IPC: H01F7/02 ,  H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02 ,  B22F3/10

CPC classification number: H01F41/0293 ,  B22F3/1017 ,  B22F3/26 ,  B22F2003/248 ,  B22F2301/35 ,  B22F2998/10 ,  C21D6/004 ,  C21D6/005 ,  C21D6/007 ,  C21D6/008 ,  C22C28/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/007 ,  C22C38/008 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/105 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16 ,  C22C38/20 ,  C22C38/60 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0311 ,  H01F1/0536 ,  H01F1/0577 ,  H01F1/058 ,  H01F41/005 ,  H01F41/0266

Abstract: 本发明涉及一种稀土烧结磁体及其制备方法。具体地，该稀土烧结磁体是各向异性烧结体，其包含作为主相的Nd2Fe14B晶体相，并具有组成R1aTbMcSidBe，其中R1为包括Sc和Y的稀土元素，T为Fe和/或Co，M为Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta或W，“a”到“e”为：12≤a≤17、0≤c≤10、0.3≤d≤7、5≤e≤10，余量为b，其中Dy和/或Tb从烧结体表面扩散进入烧结体内。

公开(公告)号：CN102534797A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110463123.5

申请日：2011-11-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野村忠雄 ,  山形则男 ,  美浓轮武久

IPC: C30B29/36 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B9/10 ,  C30B11/04

Abstract: 本发明涉及一种SiC单晶的制造方法。该方法包括：在石墨坩锅内的底部放置SiC籽晶；使包含Si、C和R(R是选自包含Sc和Y的稀土元素中的至少一种)或X(X是选自Al、Ge、Sn和不包括Sc和Y的过渡金属中的至少一种)的溶液存在于石墨坩埚中；将溶液过冷以使得SiC单晶在籽晶上生长；从石墨坩锅上方将粉末状或者粒状Si和/或SiC原料加入到溶液中，同时保持SiC单晶的生长。

公开(公告)号：CN101521068A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200810179949.7

申请日：2008-03-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 永田浩昭 ,  野村忠雄 ,  美浓轮武久

IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02 ,  B22F3/10

Abstract: 一种稀土永磁体，其是采用以下方法制备：在R－Fe－B体系的烧结体上布置包含至少70体积％金属间化合物相的粉末状的金属合金，然后在真空或惰性气体中在低于烧结体的烧结温度下加热表面上布置有所述粉末的烧结体以进行扩散处理。优点包括高效的生产率、优异的磁性、极少或零的Tb或Dy使用量、提高的矫顽力和最小化的剩磁下降。

公开(公告)号：CN115280436A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180023658.2

申请日：2021-03-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野村忠雄 ,  大塚一辉 ,  镰田真之

IPC: H01F1/059 ,  C21D6/00 ,  C22C38/00 ,  H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/24

Abstract: 本发明的各向异性稀土类烧结磁体，其特征在于：其是组成以式(R1‑aZra)x(Fe1‑bCob)100‑x‑y(M11‑cM2c)y表示的各向异性稀土类烧结磁体，R为选自稀土类元素的1种以上且必须含有Sm，M1为选自V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Al、Si的1种以上的元素，M2为选自Ti、Nb、Mo、Hf、Ta、W的1种以上的元素，x、y、a、b、c分别如下：7≤x≤15原子%、4≤y≤20原子%、0≤a≤0.2、0≤b≤0.5、0≤c≤0.9，其中，包含80体积%以上的由ThMn12型晶体的化合物构成的主相，上述主相的平均晶体粒径为1μm以上，在相邻的主相晶粒之间形成有两个粒子间的晶界相。本发明的各向异性稀土类烧结磁体的制造方法，其特征在于：将包含ThMn12型晶体的化合物相的合金粉碎，在施加磁场的状态下进行压粉成型以制成成型体，之后在800℃以上且1400℃以下的温度下烧结。根据本发明，在以ThMn12型晶体的化合物为主相的各向异性稀土类烧结磁体中，可提供显示良好的磁特性的各向异性稀土类烧结磁体及其制造方法。

公开(公告)号：CN115280435A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180023649.3

申请日：2021-03-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野村忠雄 ,  大塚一辉 ,  镰田真之

IPC: H01F1/059 ,  C21D6/00 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10 ,  C22C38/14 ,  H01F41/02 ,  B22F3/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/24

Abstract: 本发明的各向异性稀土类烧结磁体，其特征在于：其是组成以式(R1‑aZra)x(Fe1‑bCob)100‑x‑y(M11‑cM2c)y表示的各向异性稀土类烧结磁体，R为选自稀土类元素的1种以上且必须含有Sm，M1为选自V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Al、Si的1种以上的元素，M2为选自Ti、Nb、Mo、Hf、Ta、W的1种以上的元素，x、y、a、b、c分别如下：7≤x≤15原子%、4≤y≤20原子%、0≤a≤0.2、0≤b≤0.5、0≤c≤0.9，其中，包含80体积%以上的由ThMn12型晶体的化合物构成的主相，上述主相的平均晶体粒径为1μm以上，在晶界部包含富R相和R(Fe、Co)2相。本发明的各向异性稀土类烧结磁体的制造方法，其特征在于：将包含ThMn12型晶体的化合物相的合金粉碎，在施加磁场的状态下进行压粉成型以制成成型体，之后在800℃以上且1400℃以下的温度下烧结。根据本发明可提供：在以ThMn12型晶体的化合物为主相的各向异性稀土类烧结磁体中，显示良好的磁特性的各向异性稀土类烧结磁体及其制造方法。

公开(公告)号：CN108286075A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201810285275.2

申请日：2011-11-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野村忠雄 ,  山形则男 ,  美浓轮武久

IPC: C30B29/36 ,  C30B11/10

Abstract: 本发明涉及一种SiC单晶的制造方法。该方法包括：在石墨坩锅内的底部放置SiC籽晶；使包含Si、C和R(R是选自包含Sc和Y的稀土元素中的至少一种)或X(X是选自Al、Ge、Sn和不包括Sc和Y的过渡金属中的至少一种)的溶液存在于石墨坩埚中；将溶液过冷以使得SiC单晶在籽晶上生长；从石墨坩锅上方将粉末状或者粒状Si和/或SiC原料加入到溶液中，同时保持SiC单晶的生长。

公开(公告)号：CN1501411A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114979.7

申请日：2003-11-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 野村忠雄 ,  美浓轮武久

IPC: H01F1/153 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F1/0577

Abstract: 一种R－Fe－B基烧结磁体，其成分为12－17at％的R(其中R表示钇和稀土元素中的至少两种，并且主要包含Nd和Pr)、0.1－3at％的Si、5－5.9at％的B、0－10at％的Co、和其余的Fe，该磁体包含R2(Fe，(Co)，Si)14B金属间化合物主相和至少体积百分比为1％的R－Fe(Co)－Si晶界相，并且没有富B相，尽管减少了重稀土的含量，但该烧结磁体仍表现出至少10kOe的矫顽力。