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公开(公告)号：CN103502895B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280020428.1
申请日：2012-04-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G15/0233
Abstract: 提供在低-中-高速电子照相设备中在不需要预曝光装置下具有充分的带电性能并可以使感光构件均匀带电的充电构件。还提供可以防止发生多色重影图像或类似地可以稳定地形成高级电子照相图像的处理盒和电子照相设备。所述充电构件包括基体、弹性层和表面层，其中所述表面层包含具有Si-O-Nb键的高分子化合物；所述高分子化合物具有由下式(1)表示的构成单元和由下式(2)表示的构成单元：式(1)式(2)NbO5/2。
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公开(公告)号：CN103502894B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280020421.X
申请日：2012-04-16
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C08G77/14 , C08G77/58 , C09D183/14 , G03G15/02 , G03G15/0233 , Y10T428/31663
Abstract: 提供一种充电构件和其制造方法，所述充电构件通过改进充电能力能够改进特别是正重影，并且能够长期维持对调色剂和外部添加剂等的耐附着性。所述充电构件包括导电性支承体、导电性弹性层和表面层，其特征在于所述表面层包括在其分子结构中具有Si-O-Ti键的高分子化合物，并且所述高分子化合物具有由式(1)、式(2)和式(3)表示的特定构成单元。
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公开(公告)号：CN103154827B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180046588.9
申请日：2011-09-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G15/02 , C08G65/337
CPC classification number: G03G15/0233 , C08L85/00 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
Abstract: 提供一种充电构件，其当与感光构件接触时不可能经受磨耗并且其具有表面层，所述表面层具有有助于与感光构件形成适当辊隙的适当弹性。所述充电构件具有基体、弹性层和表面层，所述表面层包含具有Si-O-Hf键并具有由式(1)表示的结构单元和由式(2)表示的结构单元的高分子化合物： 式(1)HfO4/2 式(2)。
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公开(公告)号：CN103124932B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201180046556.9
申请日：2011-09-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G15/02 , C08G65/337
CPC classification number: G03G15/0233 , C08L85/00 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
Abstract: 本发明公开设置有能够更加可靠地抑制低分子量组分从弹性层渗出的表面层的充电构件。所述充电构件具有基体、弹性层和表面层。所述表面层具有Si-O-Ta键，并包含具有由下述结构式(1)表示的结构单元和由下述结构式(2)表示的结构单元的高分子化合物。TaO5/2 (2)。
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公开(公告)号：CN102687082B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080059626.X
申请日：2010-12-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G15/0233 , C08G79/14
Abstract: 本发明公开一种充电构件，其能够高水平地实现抑制低分子量组分从弹性层渗出和使电子照相感光体充电二者。所述充电构件包括基体、弹性层和表面层，所述表面层包括具有Si-O-Ti键的聚合物，所述聚合物包含由以下通式(1)表示的构成单元和由以下通式(2)表示的构成单元：TiO4/2(2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102656523B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201080056626.4
申请日：2010-12-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G15/0233
Abstract: 公开一种充电构件，其即使在重复使用后也能够维持优良的耐磨耗性。具体公开一种具有表面层的充电构件，其中所述表面层由至少一种倍半硅氧烷和聚硅氧烷构成，所述倍半硅氧烷选自具有由化合物(1)、化合物(2)、化合物(3)、化合物(4)、化合物(5)或化合物(6)表示的结构的倍半硅氧烷中，和所述聚硅氧烷具有由SiO0.5R1(OR2)(OR3)表示的第一单元、由SiO1.0R4(OR5)表示的第二单元和由SiO1.5R6表示的第三单元。在所述表面层中，倍半硅氧烷包含在聚硅氧烷中。
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公开(公告)号：CN103502896A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280020838.6
申请日：2012-04-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G15/0233 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供几乎不发生清洁不良的充电构件，结果，抑制由电子照相设备产生的图像中纵条纹的形成。所述充电构件包含支承体、弹性层和表面层。所述表面层包含具有选自Si-O-M键和Si-O-Ta键的至少一种键、选自M-O-Ge键和Ta-O-Ge键的至少一种键以及Si-O-Ge键的高分子化合物。M为选自由Ti、Zr和Hf组成的组的元素。该高分子化合物具有由式(1)和(2)表示的结构单元以及由式(3)和/或(4)表示的结构单元。所述充电构件具有从它的表面延伸到所述弹性层的龟裂，并且该龟裂的边缘凸起。结果，使充电构件的表面粗糙。式(1)、式(2)Ge04/2、式(3)MO4/2、式(4)Ta05/2。
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公开(公告)号：CN103380403A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280009083.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G15/0233 , C08G77/58 , G03G15/0258 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供一种电子照相设备，其中可通过降低充电构件的表面自由能和摩擦系数来防止沉积于清洁构件上的任何污染物在充电构件上的粘着，因此，可改善与粘着相关的图像不良。充电构件包括基体、弹性层和表面层，其中所述表面层包含具有Si-O-W键的高分子化合物，并且其中高分子化合物具有由式(1)表示的结构单元和由式(2)表示的结构单元。式(1)，式(2)WO5/2。
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公开(公告)号：CN103124931A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201180046496.0
申请日：2011-09-22
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G15/0233 , Y10T428/24479
Abstract: 提供具有粗糙化表面并且能够抑制污物对表面的附着的充电构件。所述充电构件具有支承构件、弹性层和表面层，其中表面层包含具有Si-O-M键、具有选自由通式(1)和通式(2)表示的结构单元的至少一种结构单元并且具有由通式(3)表示的结构单元的高分子化合物。所述充电构件具有在其表面中延伸至弹性层的龟裂；所述龟裂在其边缘附近以凸状隆起。结果，使充电构件表面粗糙化。通式(1)MO4/2通式(2)MO5/2通式(3)
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公开(公告)号：CN102667635A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080056833.X
申请日：2010-12-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G15/02
CPC classification number: G03G15/0233 , C08G77/045 , C08G77/14
Abstract: 公开一种即使在重复使用时，仍然能够保持优异耐磨性的充电构件，和各自装备有所述充电构件的处理盒和电子照相设备。所述充电构件的特征在于其表面层含有具有键合其上的倍半硅氧烷的聚硅氧烷。
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