公开(公告)号：CN114175281A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080054210.2

申请日：2020-07-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 须贺贵子 ,  内田武志 ,  吉冈毅

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/08

Abstract: 提供了一种发光元件，该发光元件具有：第一有源层，通过注入电流来发射具有第一波长的光；第二有源层，通过吸收具有第一波长的光来发射具有不同于第一波长的第二波长的光；以及第一反射镜，在第一反射镜处具有第一波长的光的反射率大于具有第二波长的光的反射率，其中，第一反射镜被部署在比第一有源层和第二有源层靠近发射端的位置处，由第一有源层或第二有源层发射的光从发射端投射到外部。

公开(公告)号：CN109473510A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811023086.4

申请日：2018-09-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 内田武志 ,  须贺贵子

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/30

CPC classification number: B41J2/455 ,  B41J2/44 ,  G03G15/04 ,  G03G15/04036 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/08 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括具有第一到第四半导体层的堆叠结构，并且第三半导体层从半导体基板侧起依次至少包含与第二半导体层接触的第五半导体层和第六半导体层。第六半导体层是形成堆叠结构的所有层中的具有最小带隙的层，并且，第五半导体层与第六半导体层之间的带隙的差值△Eg大于或等于0.05eV且小于或等于0.15eV。