公开(公告)号：CN100413036C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN03121837.7

申请日：2003-04-21

Applicant: 佳能安内华株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 森崎仁史 ,  神谷保志 ,  野村秀二 ,  户塚正裕 ,  奥友希 ,  服部亮

IPC: H01L21/318

CPC classification number: C23C16/4411 ,  C23C16/345 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料气体，使氮化硅薄膜堆积在基板表面的化学蒸镀装置和蒸镀方法，其特征是：在上述真空容器内部，配置用以包围上述发热体和基板的内壁，形成成膜空间，设置将原料气体输入上述成膜空间的气体输入手段，同时，设置上述内壁的加热手段和/或冷却手段，形成将该内壁的温度控制在预定值的结构。