公开(公告)号：CN1461288A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN02801227.5

申请日：2002-04-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: C04B37/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6833 ,  B32B18/00 ,  B32B2309/022 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/44 ,  C04B35/581 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/08 ,  Y10T279/23

Abstract: 提供一种基片支承构造体，所述的基片支承构造体具有优良的耐腐蚀性及气密性、同时有优良的尺寸精度，在被加有机械的或热的应力时有足够的耐久性。本发明基片支承构造体的支承体(1)包括：支承基片用的陶瓷基体(2)、接合在陶瓷基体(2)上的保护筒体(7)、位于陶瓷基体(2)与保护筒体(7)之间并把陶瓷基体(2)和保护筒体(7)接合的接合层(8)。接合层(8)含有稀土类氧化物质量2％以上质量70％以下、氧化铝质量10％以上质量78％以下、氮化铝质量2％以上质量50％不到。接合层(8)的上述三种成分中稀土类氧化物或氧化铝的比例最多。

公开(公告)号：CN1452233A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03109539.9

申请日：2003-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67103

Abstract: 本申请公开了一种半导体制造设备工件保持架，其基片保持表面具有优良的等温属性，其适用于在涂胶机/显影机中热固光刻胶，和烘低介电常数，即低k的绝缘膜。工件保持架由基片保持架1和支撑基片保持架1的支撑部件4组成，其特点是支撑部件4的热传导率低于基片保持架1的热传导率。基片保持架1和支撑部件4或者不连接，或者如果连接，则两者具有相同的热膨胀系数2.0×10－6/℃或者更小。基片保持架1的主要成分最好是AlN，支撑部件4的主要成分最好是高铝红柱石。

公开(公告)号：CN100355020C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN03801837.3

申请日：2003-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 夏原益宏 ,  仲田博彦 ,  柊平启 ,  桥仓学

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/68 ,  C23C16/44 ,  H05B3/02

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 本发明公开了一种晶片固定器，其用于对通过管状件和/或支撑件支撑在反应室内的固定器陶瓷基座上的半导体晶片进行保持和加工，其中所述管状件和/或所述支撑件中的至少两个为其中一端连接到陶瓷基座，而另一端固定进反应室的固定管状件和/或固定支撑件，其中假设所述陶瓷基座达到的最高温度为T1，所述陶瓷基座的热膨胀系数为α1，所述反应室达到的最高温度为T2，所述反应室的热膨胀系数为α2，在常温下所述固定管状件和/或所述固定支撑件外侧之间的陶瓷基座上的最长间隔为L1，以及在常温下所述固定管状件和/或固定支撑件外侧之间的所述反应室上的最长间隔为L2，则晶片固定器满足关系式：|(T1×α1×L1)-(T2×α2×L2)|≤0.7mm。

公开(公告)号：CN1740386A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510089705.6

申请日：2003-02-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/68792

Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置中，在反应室1内加给反应气体，陶瓷托架2具有嵌入其中的电阻加热元件7。陶瓷圆柱形支承部件3的一端支承陶瓷托架2，另一端被固定在反应室1的一部分上。惰性气体供送管4和惰性气体排气管5每一个都在圆柱形支承部件3内有开口。最好使圆柱形支承部件3内的惰性气体保持在小于0.1MPa(一个大气压)。采用这样的布置，无需加给抗氧化密封或抗腐蚀密封，即可以防止设在陶瓷托架后表面上的各电极的氧化和腐蚀。这种制造半导体或液晶的装置还保证陶瓷托架中热的均匀性，并压缩损失的能耗。此外，还能减小装置的尺寸，并降低制造成本。

公开(公告)号：CN1237203C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03800603.0

申请日：2003-02-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/68792

Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置中，在反应室1内加给反应气体，陶瓷托架2具有嵌入其中的电阻加热元件7。陶瓷圆柱形支承部件3的一端支承陶瓷托架2，另一端被固定在反应室1的一部分上。惰性气体供送管4和惰性气体排气管5每一个都在圆柱形支承部件3内有开口。最好使圆柱形支承部件3内的惰性气体保持在小于0.1Mpa(一个大气压)。采用这样的布置，无需加给抗氧化密封或抗腐蚀密封，即可以防止设在陶瓷托架后表面上的各电极的氧化和腐蚀。这种制造半导体或液晶的装置还保证陶瓷托架中热的均匀性，并压缩损失的能耗。此外，还能减小装置的尺寸，并降低制造成本。

公开(公告)号：CN1557015A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN03801108.5

申请日：2003-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/203 ,  H05B3/68 ,  H01L21/31 ,  H01L21/027 ,  H05B3/74 ,  H05B3/02

CPC classification number: H01L21/68792 ,  H01L21/67103

Abstract: 一种半导体制造用保持体，被设置在接受反应气体的处理室内，该半导体制造装置用保持体具有：将被处理物10保持在表面的同时具备用于对被处理物进行加热的电阻发热体2的陶瓷制保持体1、和一端在被处理物保持表面以外的部位支持该陶瓷制保持体1而另一端被固定在处理室上的支持构件6，且设置在该陶瓷制保持体1的被处理物保持表面以外的部位的电阻发热体2的电极端子3以及引出线4被收容在绝缘管5内。根据本发明提供用于对埋设在保持体内的电阻发热体供电的电极端子以及引出线不会发生漏电和打火并且在保持体中可以获得±1.0％以内的均热性的半导体制造装置用保持体。

公开(公告)号：CN1522314A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN03800603.0

申请日：2003-02-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/68792

Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置中，在反应室1内加给反应气体，陶瓷托架2具有嵌入其中的电阻加热元件7。陶瓷圆柱形支承部件3的一端支承陶瓷托架2，另一端被固定在反应室1的一部分上。惰性气体供送管4和惰性气体排气管5每一个都在圆柱形支承部件3内有开口。最好使圆柱形支承部件3内的惰性气体保持在小于0.1Mpa(一个大气压)。采用这样的布置，无需加给抗氧化密封或抗腐蚀密封，即可以防止设在陶瓷托架后表面上的各电极的氧化和腐蚀。这种制造半导体或液晶的装置还保证陶瓷托架中热的均匀性，并压缩损失的能耗。此外，还能减小装置的尺寸，并降低制造成本。

公开(公告)号：CN1514888A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN03800369.4

申请日：2003-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/68792 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/67103

Abstract: 一种制造半导体或液晶的装置，其在反应容器9中备有，其内部埋设有阻抗发热体3的陶瓷保持体1、一端2a支持陶瓷保持体1而另一端2b被固定在反应容器9上的筒状支持部件2；筒状支持部件2的一端2a与陶瓷保持体1之间气密性结合，同时另一端2b侧在内部被隔板6和密封材料7气密密封。这种半导体或液晶制造装置，优选使筒状保持体2内的被陶瓷保持体1和隔板6划分的空间形成真空或惰性气体减压气氛下。在具有上记结构的半导体或液晶制造装置中，筒状支持部件容易进行气密密封，能够防止在陶瓷保持体的背面露出的电极端子4被腐蚀和氧化，而且在提高保持体均热性的同时还能提高热效率。

公开(公告)号：CN1453095A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03122977.8

申请日：2003-04-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柊平启 ,  夏原益宏 ,  仲田博彦

IPC: B23K31/00

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B3/143 ,  H05B3/265

Abstract: 一种陶瓷基座，其固定晶片面具有很好的等温性，适用于半导体装置和液晶装置。在盘状烧结体1中，设置电阻加热元件2。烧结陶瓷体外边界1a和电阻加热区域外边界2a之间的拉伸距离L的变化范围为±0.8％，固定晶片面的整个表面的额定等温线变化范围在±1.0％左右，并且当所述的L控制在±0.5％时，额定等温线控制在±0.5％。

公开(公告)号：CN1452232A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03107447.2

申请日：2003-03-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 夏原益宏 ,  仲田博彦 ,  柊平启

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00

Abstract: 提供一种不昂贵的具有高的可靠性的工件固定器和一种设有工件固定器的加工设备，其能防止由空气中的氧所引起的损坏。固定器包括：陶瓷体，其具有电极和加热器电路并能够固定工件；管形件，其具有连接至陶瓷体的末端部分；密封件，其放在管形件的内部并将管形件的内部空间分成两个区域：在第一末端部分的区域(“密封部分”)和在相对侧的区域(“相对区域”)；和电源导电元件，其从相对区域侧，穿过密封件至密封区域侧，并与电极和加热器电路电气连接。