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公开(公告)号：CN110079862B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910216446.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , B24B37/10 , C23C16/32 , H01L21/205 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法。碳化硅单晶衬底(1)包括第一主面(1b)和与第一主面(1b)相反的第二主面(1a)。所述第一主面(1b)具有100mm以上的最大直径。所述第一主面(1b)包括第一中心区域(IRb)，所述第一中心区域(IRb)为不包括从外周向内延伸3mm的区域(ORb)的第一主面(1b)。当将所述第一中心区域(IRb)划分为各自具有250μm边长的第一正方形区域时，各个第一正方形区域具有小于0.2nm的算术平均粗糙度(Sa)且具有5原子％以上且小于20原子％的氧浓度。因此，提供有效降低真空吸附失效发生的碳化硅单晶衬底和碳化硅外延衬底以及所述衬底的制造方法。
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公开(公告)号：CN112575377A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011271507.2
申请日：2014-10-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及碳化硅锭和碳化硅衬底的制造方法。本发明提供了一种碳化硅锭(1)，其包括端表面(1a)和与端表面(1a)相反端表面(1b)。在碳化硅锭(1)中，端表面(1a)和端表面(1b)在生长方向上彼此面对，并且所述生长方向上的氮浓度梯度不小于1×1016cm‑4且不大于1×1018cm‑4。
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公开(公告)号：CN109844186A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201880003964.8
申请日：2018-07-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 碳化硅外延膜具有圆弧状或环状的多个基面位错和多个贯通位错。当从垂直于主表面的方向观察时，所述多个贯通位错具有被所述多个基面位错包围的第一贯通位错和未被所述多个基面位错包围的第二贯通位错。所述多个基面位错和所述第一贯通位错构成环状缺陷。所述主表面中的所述多个贯通位错的面密度为50cm-2以上。通过将当从垂直于所述主表面的方向观察时所述环状缺陷的面密度除以所述主表面中的所述多个贯通位错的面密度而获得的值为0.00002以上且0.004以下。
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公开(公告)号：CN114026672B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202080042958.0
申请日：2020-05-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 本家翼
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/08
Abstract: 碳化硅衬底为具有设置有定向平面的圆形的第一主面和与所述第一主面相对的第二主面的碳化硅衬底。第一主面具有在将定向平面被设置之前的第一主面的形状设为圆时的圆的中心。第一主面具有第一径向的第一两端部，所述第一径向的第一两端部为在假定于第一主面的第一径向上设置有通过圆的中心而在第一径向上延伸的第一假想直线时，第一假想直线与第一主面的周缘的两个交点。第一主面具有第二径向的第二两端部，所述第二径向的第二两端部为在假定于第一主面的与第一径向正交的第二径向上设置有通过圆的所述中心而在第二径向上延伸的第二假想直线时，第二假想直线与第一主面的周缘的两个交点。第一主面具有通过将第一区域和第二区域除外而得到的中央区域，第一区域为从第一径向的第一两端部的各自起到所述第一主面的内侧5mm以内的区域，第二区域为从第二径向的第二两端部的各自起到所述第一主面的内侧5mm以内的区域。在将第一主面的中央区域分割成多个正方形区域以使得具有最多的边长为5mm的完整地构成正方形的所述正方形区域时，多个第一正方形区域的LTV的平均值为0.75μm以下，多个所述第一正方形区域为以相对于圆的中心位于最外侧而构成最外周的方式配置成环状的多个正方形区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113272480A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201980084296.0
申请日：2019-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 碳化硅再生基板具有碳化硅基板和第一碳化硅层。所述碳化硅基板具有第一主面和与所述第一主面相反的第二主面。所述第一碳化硅层与所述第一主面接触。所述碳化硅基板包括从所述第一主面朝向所述第二主面在10μm以内的基板区域。在与所述第一主面垂直的方向上，通过从所述基板区域的氮浓度的平均值减去作为所述基板区域的氮浓度的标准偏差的3倍的值而获得的值大于所述第一碳化硅层的氮浓度的最小值。
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公开(公告)号：CN111051581A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055130.1
申请日：2018-08-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包含：4H多型的单晶碳化硅衬底，所述单晶碳化硅衬底具有相对于{0001}面以角度θ向 方向倾斜的主面；和形成在所述主面上的厚度为t的碳化硅外延层，其中所述单晶碳化硅衬底的直径大于或等于150mm，其中所述角度θ大于0°且小于或等于6°，其中在所述碳化硅外延层的表面中存在螺旋位错坑和距所述坑的距离为t/tanθ的对角线缺陷的一个以上的对，并且其中所述坑和所述对角线缺陷的对的密度小于或等于2对/cm2。
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公开(公告)号：CN109844186B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880003964.8
申请日：2018-07-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 碳化硅外延膜具有圆弧状或环状的多个基面位错和多个贯通位错。当从垂直于主表面的方向观察时，所述多个贯通位错具有被所述多个基面位错包围的第一贯通位错和未被所述多个基面位错包围的第二贯通位错。所述多个基面位错和所述第一贯通位错构成环状缺陷。所述主表面中的所述多个贯通位错的面密度为50cm‑2以上。通过将当从垂直于所述主表面的方向观察时所述环状缺陷的面密度除以所述主表面中的所述多个贯通位错的面密度而获得的值为0.00002以上且0.004以下。
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公开(公告)号：CN106605289B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201580047727.8
申请日：2015-06-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , B24B1/00 , B24B9/00 , C30B29/36 , H01L21/304
Abstract: 一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。
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公开(公告)号：CN110651072A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880032424.2
申请日：2018-04-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面和第二主面，并由具有4H多型的碳化硅构成。第一主面的最大直径大于或等于150mm。所述第一主面对应于相对于{0001}面在 方向上倾斜大于0°且小于或等于4°的面。所述碳化硅衬底的TTV小于或等于3μm。所述第一主面包含第一中心区域，所述第一中心区域被各边为90mm的正方形围绕。所述第一中心区域的对角线的交点与所述第一主面的中心重合。所述第一中心区域由九个正方形区域构成，各个正方形区域的各个边为30mm。所述九个正方形区域中的最大LTV小于或等于1μm。第二中心区域中的算术平均粗糙度Sa小于或等于0.1nm，所述第二中心区域被以所述交点为中心并且各个边为250μm的正方形围绕。
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