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公开(公告)号：CN109661728A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780052784.4
申请日：2017-06-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/417
Abstract: 第一主表面设置有：栅极沟槽，所述栅极沟槽由第一侧表面和第一底表面限定；以及源极沟槽，所述源极沟槽由第二侧表面和第二底表面限定。碳化硅衬底包括漂移区、主体区、源极区、第一区和第二区。所述第一区与所述第二区接触。栅极绝缘膜在所述第一侧表面处与所述漂移区、所述主体区和所述源极区接触，并且在所述第一底表面处与所述漂移区接触。源极电极在所述第二侧表面和所述第二底表面处与所述第二区接触。
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公开(公告)号：CN104428878B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380036253.8
申请日：2013-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0445 , H01L21/049 , H01L21/2636 , H01L21/324 , H01L29/045 , H01L29/34 , H01L29/51 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7802
Abstract: 该制造碳化硅半导体器件(100)的方法包括以下步骤。制备碳化硅衬底(10)；执行在氧气气氛中加热所述碳化硅衬底(10)的第一加热步骤；在所述第一加热步骤之后，执行在包含氮原子或者磷原子的气体气氛中将碳化硅衬底(10)加热到1300-1500℃的温度的第二加热步骤；在所述第二加热步骤之后，执行在第一惰性气体气氛中加热碳化硅衬底(10)的第三加热步骤。这允许提供具有低阈值电压变化的碳化硅半导体器件(100)及其制造方法。
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公开(公告)号：CN118974943A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380032110.3
申请日：2023-01-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 内田光亮
IPC: H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12
Abstract: 碳化硅半导体器件具备碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面，所述碳化硅衬底具有漂移区，所述漂移区具有第一导电型，所述碳化硅衬底还具有电场缓和区，所述电场缓和区设置在所述第一主面与所述第二主面之间且具有与所述第一导电型不同的第二导电型，所述漂移区具有：第一区域，位于所述电场缓和区与所述第一主面之间；第二区域，在与所述第一主面平行的面内与所述第一区域邻接；第三区域，位于所述第二区域与所述第二主面之间，与所述第二区域相连，并且在与所述第一主面平行的面内与所述电场缓和区邻接；以及第四区域，位于所述电场缓和区以及所述第三区域与所述第二主面之间，与所述第三区域相连，所述第一区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第一最大值比所述第二区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第二最大值高，所述第三区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第三最大值为所述第二最大值以下，所述第四区域中所述第一导电型的杂质的有效浓度的第四最大值为所述第三最大值以下。
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公开(公告)号：CN117693824A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202280051598.X
申请日：2022-06-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种碳化硅半导体器件，具有：碳化硅衬底，具有第一主面；层间绝缘膜，覆盖所述第一主面；以及栅极焊盘及源极焊盘，设置于所述层间绝缘膜之上，在从与所述第一主面垂直的方向俯视观察时，所述碳化硅衬底具有：第一区域，包括多个单位单元；第二区域，与所述栅极焊盘重叠；以及第三区域，与所述第二区域相连，所述多个单位单元分别具有：漂移区，具有第一导电型；本体区，具有与所述第一导电型不同的第二导电型；源极区，设置于所述第一主面，通过所述本体区而与所述漂移区隔开，并且具有所述第一导电型；接触区，设置于所述第一主面，与所述本体区电连接，并且具有所述第二导电型；栅电极，与所述栅极焊盘电连接；以及栅极绝缘膜，设置于所述漂移区、所述本体区及所述源极区与所述栅电极之间，所述第二区域具有第一半导体区域，所述第一半导体区域具有所述第二导电型，所述第三区域具有第二半导体区域，所述第二半导体区域具有所述第二导电型，所述第一半导体区域及所述第二半导体区域在所述第一主面中彼此相连，在所述层间绝缘膜上形成有到达所述源极区及所述接触区的第一接触孔、以及到达所述第二半导体区域的第二接触孔，所述源极焊盘经由所述第一接触孔与所述源极区及接触区电连接，经由所述第二接触孔与所述第二半导体区域电连接，在从与所述第一主面平行的方向截面观察时，所述第二接触孔的短边方向上的第二尺寸比所述第一接触孔的短边方向上的第一尺寸大。
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公开(公告)号：CN117693823A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202280051428.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 碳化硅半导体器件(201)具有碳化硅衬底(10)、以及第一主面(1)的上方的栅极焊盘(61)及源极焊盘(62)，在俯视观察时，所述碳化硅衬底具有：第一区域(101)，包括多个单位单元；第二区域(102)，与所述栅极焊盘重叠；以及第三区域(103)，与所述第二区域相连，所述多个单位单元分别具有：接触区(34)，设置于所述第一主面，与体区(32)电连接，具有第二导电型；以及栅极绝缘膜(43)，设置于漂移区(31)、所述体区及源极区(33)与栅电极(51)之间，所述第二区域具有所述第二导电型的第一半导体区域(121)，所述第三区域具有所述第二导电型的第二半导体区域(122)，所述第一半导体区域及所述第二半导体区域在所述第一主面中彼此相连，所述源极区、所述接触区及所述第二半导体区域与所述源极焊盘电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106796886A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580046055.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 一种碳化硅外延层(120)，包括：第一杂质区(61)，其具有第一导电类型；第二杂质区(62)，其被设置为与所述第一杂质区(61)接触并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；以及第三杂质区(63)，其和所述第一杂质区(61)由所述第二杂质区(62)分开并且具有所述第一导电类型。栅极绝缘膜(57)与所述第一杂质区(61)、所述第二杂质区(62)和所述第三杂质区(63)接触。沟槽部(20)形成在所述第一杂质区(61)的表面(161)中，所述表面(161)与所述栅极绝缘膜(57)接触，所述沟槽部(20)在沿所述表面(161)的方向上延伸，所述沟槽部(20)在所述一个方向上的宽度为所述沟槽部(20)在垂直于所述一个方向的方向上的宽度的两倍或者两倍以上，所述沟槽部(20)距所述表面(161)的最大深度不超过10nm。
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公开(公告)号：CN104428878A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380036253.8
申请日：2013-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/0445 , H01L21/049 , H01L21/2636 , H01L21/324 , H01L29/045 , H01L29/34 , H01L29/51 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7802
Abstract: 该制造碳化硅半导体器件(100)的方法包括以下步骤。制备碳化硅衬底(10)；执行在氧气气氛中加热所述碳化硅衬底(10)的第一加热步骤；在所述第一加热步骤之后，执行在包含氮原子或者磷原子的气体气氛中将碳化硅衬底(10)加热到1300-1500℃的温度的第二加热步骤；在所述第二加热步骤之后，执行在第一惰性气体气氛中加热碳化硅衬底(10)的第三加热步骤。这允许提供具有低阈值电压变化的碳化硅半导体器件(100)及其制造方法。
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公开(公告)号：CN111670502A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201880088497.3
申请日：2018-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/302 , H01L21/336 , H01L29/12
Abstract: 碳化硅衬底的第一主表面设置有第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽由第一侧表面和第一底表面限定。第二沟槽由第二侧表面和第二底表面限定。碳化硅衬底包括第一杂质区、第二杂质区、第三杂质区和第四杂质区。第一绝缘膜与第一侧表面和第一底表面中的每一个接触。栅电极设置在第一绝缘膜上。第二绝缘膜与第二侧表面和第二底表面中的每一个接触。第二杂质区具有电连接到第四杂质区并且沿着第二侧表面朝向第四杂质区延伸的连接区。
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公开(公告)号：CN111602252A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880086427.4
申请日：2018-10-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/205 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/12
Abstract: 碳化硅半导体器件具有碳化硅衬底、栅极焊盘和漏电极。碳化硅衬底具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面。栅极焊盘面对第一主表面。漏电极与第二主表面接触。碳化硅衬底包括：构成第二主表面并且具有第一导电类型的第一杂质区；设置在第一杂质区上并且具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二杂质区；设置在第二杂质区上并且具有第一导电类型的第三杂质区；以及设置在第三杂质区上、构成第一主表面并且具有第二导电类型的第四杂质区。第一杂质区、第二杂质区、第三杂质区和第四杂质区中的每一个位于栅极焊盘和漏电极之间。
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公开(公告)号：CN105074933B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201480008899.X
申请日：2014-02-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC classification number: H01L21/049 , H01L21/045 , H01L29/045 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/513 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 沟槽(TR)具有分别由第一至第三半导体层(121至123)构成的第一至第三侧表面(SW1至SW3)。在第一绝缘膜(210)中包括的第一侧壁部(201S)具有分别位于第一至第三侧表面(SW1至SW3)上的第一至第三区域(201a至201c)。第二绝缘膜(202)具有位于第一侧壁部(201S)上的第二侧壁部(202S)。第二侧壁部(202S)具有一端(E1)和另一端(E2)，一端(E1)连接到第二绝缘膜的第二底部(202S)，另一端(E2)位于第一区域(201a)或第二区域(201b)中的一个上，且距第三区域(201c)一定距离。因此，可以使得栅电极电容小。
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