公开(公告)号：CN1137690A

公开(公告)日：1996-12-11

申请号：CN96104423.3

申请日：1996-03-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  松原秀树 ,  松岛政人 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  Y10S438/925

Abstract: 一种化合物半导体发光器件包括：GaAs衬底；形成在衬底上的包括GaN的缓冲层，其厚度为10nm～80nm；形成在缓冲层上的包括Al Ga N(0≤x＜1)的外延层；位于缓冲层和外延层之间的界面上的极薄的平面；形成在外延层上的发光层；以及形成在发光层上的覆盖层。在第一温度下通过有机金属氯化物气相外延形成缓冲层，而在高于第一温度的第二温度下通过有机金属氯化物气相外延形成外延层。最好包括In Ga N(0＜y＜1)的发光层掺有Mg。

公开(公告)号：CN101452834B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200810168983.4

申请日：2008-10-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中西文毅 ,  三浦祥纪

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

Abstract: 本发明涉及制造GaN衬底、外延晶片和半导体器件的方法以及外延晶片。假定r(m)表示GaN衬底(10)的半径，t1(m)表示GaN衬底的厚度，h1(m)表示在形成外延晶片(20)之前的GaN衬底(10)的翘曲，t2(m)表示AlxGa(1-x)N层(21)的厚度，h2(m)表示外延晶片的翘曲，a1表示GaN的晶格常数并且a2表示AlN的晶格常数，由下面的表达式1得到的值t1确定为GaN衬底(10)的最小厚度：(1.5×1011×t13+1.2×1011×t23)×{1/(1.5×1011×t1)+1/(1.2×1011×t2)}/{15.96×x×(1-a2/a1)}×(t1+t2)+(t1×t2)/{5.32×x×(1-a2/a1)}-(r2+h2)/2h＝0。形成厚度为至少该最小厚度(t1)且小于400μm的GaN衬底(10)。

公开(公告)号：CN101452834A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810168983.4

申请日：2008-10-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中西文毅 ,  三浦祥纪

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

Abstract: 本发明涉及制造GaN衬底、外延晶片和半导体器件的方法以及外延晶片。假定r(m)表示GaN衬底(10)的半径，t1(m)表示GaN衬底的厚度，h1(m)表示在形成外延晶片(20)之前的GaN衬底(10)的翘曲，t2(m)表示AlxGa(1－x)N层(21)的厚度，h2(m)表示外延晶片的翘曲，a1表示GaN的晶格常数并且a2表示AlN的晶格常数，由下面的表达式1得到的值t1确定为GaN衬底(10)的最小厚度：(1.5×1011×t13+1.2×1011×t23)×{1/(1.5×1011×t1)+1/(1.2×1011×t2)}/{15.96×x×(1－a2/a1)}×(t1+t2)+(t1×t2)/{5.32×x×(1－a2/a1)}－(r2+h2)/2h＝0。形成厚度为至少该最小厚度(t1)且小于400μm的GaN衬底(10)。

公开(公告)号：CN1097847C

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN97104545.3

申请日：1997-03-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  嶋津充 ,  松岛政人 ,  三浦祥纪 ,  元木健作 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L33/0075

Abstract: 在衬底上形成高质量InxGa1-xN(0＜x＜1)外延化合物半导体层的工艺。包括InCl3的第一气体和包括NH3的第二气体引入加热到第一温度下的反应室，以N2为载气在衬底上外延生长InN以形成InN缓冲层。此后，和第一和第二气体一起将包括HCl和Ga的第三气体引入到加热于高于第一温度的第二温度下的反应室，用N2气在缓冲层上生长外延InxGa1-xN层。用He代替N2作为载气，可获得质量更加均匀的InxGa1-xN层。此外，可将InN缓冲层更改为GaN缓冲层。

公开(公告)号：CN1082255C

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN96104423.3

申请日：1996-03-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  松原秀树 ,  松岛政人 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  Y10S438/925

Abstract: 一种化合物半导体发光器件包括：GaAs衬底；形成在衬底上的包括GaN的缓冲层，其厚度为10nm至80nm；形成在缓冲层上的包括AlGaN(0≤x＜1)的外延层；位于缓冲层和外延层之间的界面上的极薄的平面；形成在外延层上的发光层；以及形成在发光层上的覆盖层。在第一温度下通过有机金属氯化物气相外延形成缓冲层，而在高于第一温度的第二温度下通过有机金属氯化物气相外延形成外延层。最好包括InGaN(0＜y＜1)的发光层掺有Mg。

公开(公告)号：CN1080453C

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN97113522.3

申请日：1997-05-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  嶋津充 ,  三浦祥纪

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y10S148/113

Abstract: 本发明可得到一种具有蓝光亮度更高的发光器件。在GaAs衬底(8)上形成氮化镓复合层(9)，然后至少部分之除GaAs衬底(8)以形成发光器件。由于去除了GaAs衬底(8)，与全部保留GaAs衬底(8)的情况相比，光吸收减少。这样，可以得到蓝光亮度更高的发光器件。