公开(公告)号：CN1939049A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009669.6

申请日：2005-03-22

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： C·帕克斯

IPC: H04N5/235

CPC classification number: H04N5/365 ,  H04N5/35509 ,  H04N5/35527 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/3592 ,  H04N5/372 ,  H04N5/3728

Abstract: 一种图像传感器，包括：多个像素，其中至少两个或更多像素具有用于在积累时间期间改变电荷容量的电荷控制结构；其中在基本上曝光时间开始时通过电荷控制结构或读出机构将电荷容量变为基本为零，在曝光时间期间通过电荷控制结构改变电荷容量，从而使得该像素光响应曲线基本上没有线性部分。

公开(公告)号：CN102037723A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980118679.1

申请日：2009-05-12

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： C·帕克斯 ,  G·史

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/365

CPC classification number: H04N5/3741 ,  H04N5/365 ,  H04N5/3651 ,  H04N5/3698

Abstract: 一种CMOS图像传感器或其它类型的图像传感器包括：像素阵列以及与该像素阵列相关联的采样与读出电路。在读出该像素阵列的选定群组的像素中的一个或多个时，该阵列的像素电源线信号从无效状态转变为有效状态，且在该像素电源线信号从其无效状态转变为其有效状态之前的预定时间内，该像素阵列的未选定群组的像素的重置信号从有效状态转变为无效状态。此布置有利地减少了图像传感器内的阱跳变。该图像传感器可以被实施于数码相机或其它类型的数字成像装置中。

公开(公告)号：CN101341735B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200680048328.4

申请日：2006-12-13

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： C·帕克斯

IPC: H04N3/15 ,  H04N9/04

CPC classification number: H04N9/045 ,  H04N5/335 ,  H04N5/3456 ,  H04N5/3458 ,  H04N5/347 ,  H04N5/3728

Abstract: 一种图像传感器，包括：多个垂直电荷耦合设备；第一水平电荷耦合设备，从偶数垂直电荷耦合设备中接收电荷包；和第二水平电荷耦合设备，从奇数垂直电荷耦合设备中接收电荷包；其中对于第一水平电荷耦合设备中的四个电荷包求和，对于第二水平电荷耦合设备中的四个电荷包求和，从而使得空间上在第一水平电荷耦合设备中的四个电荷包中的第一电荷包求和之后，该第二水平电荷耦合设备中的求和过程才开始一个或两个电荷包。

公开(公告)号：CN101647118A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880008428.3

申请日：2008-02-20

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： C·帕克斯

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/335 ,  H04N5/37457

Abstract: 一种图像传感器包括布置在衬底上的多个像素，每个像素包括：至少一个光敏区域，其响应于入射光而收集电荷；电荷到电压转换节点，其用于感测来自该至少一个光敏区域的电荷并且将该电荷转换为电压；放大器晶体管，其具有连接到输出节点的源极、连接到电荷到电压转换节点的栅极以及连接到电源节点的至少一部分的漏极；以及重置晶体管，其连接输出节点和电荷到电压转换节点。