公开(公告)号：CN100429789C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200410044712.X

申请日：2004-05-17

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 辻村隆俊 ,  小野晋也 ,  师冈光雄 ,  三和宏一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30 ,  G09F13/22

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及图像显示装置。提供能够抑制阈值电压变动的薄膜晶体管，通过配备该薄膜晶体管，实现能够在长时期内抑制画质劣化的显示装置。本发明的薄膜晶体管，使栅电极(3)的上端和源区(5a)的上端的距离，比栅电极(3)和沟道形成区(5c)的上端的距离大，进而，通过在饱和区下的工作，即使在持续地导通状态使用的情况下，也能够抑制阈值电压的变动。另外，通过将该薄膜晶体管作为驱动元件使用，能够实现在长时期内可高品质图像显示的图像显示装置。

公开(公告)号：CN1551372A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044712.X

申请日：2004-05-17

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 辻村隆俊 ,  小野晋也 ,  师冈光雄 ,  三和宏一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30 ,  G09F13/22

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及图像显示装置。提供能够抑制阈值电压变动的薄膜晶体管，通过配备该薄膜晶体管，实现能够在长时期内抑制画质劣化的显示装置。本发明的薄膜晶体管，使栅电极(3)的上端和源区(5a)的上端的距离，比栅电极(3)和沟道形成区(5c)的上端的距离大，进而，通过在饱和区下的工作，即使在持续地导通状态使用的情况下，也能够抑制阈值电压的变动。另外，通过将该薄膜晶体管作为驱动元件使用，能够实现在长时期内可高品质图像显示的图像显示装置。