公开(公告)号：CN113169722B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201980074986.8

申请日：2019-11-13

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 野添惣一朗

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/72

Abstract: 提供相对于电极指的间距实现相对较高频率的谐振的弹性波装置。弹性波装置1具有：基板3，位于基板3上的多层膜5，位于多层膜5上的压电层7，位于压电层7上的IDT电极19。IDT电极19的电极指27的粗细从与汇流条连接的部位到在电极指27的排列方向观察时和另一个电极指27的远端重叠的位置变粗。

公开(公告)号：CN111149296B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880063711.X

申请日：2018-10-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干 ,  岸野哲也 ,  野添惣一朗

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

Abstract: 本公开的复合基板具备：由钽酸锂晶体构成且欧拉角为(0、α、γ)的第1基板10；以及由与所述第1基板10接合的硅单晶构成且欧拉角为(‑45、‑54.7、β)的第2基板20，α为‑40°～‑60°或120°～140°，γ为0°或180°，并且满足以下情况的任一者。(1)为β＝γ±20°以内以及其等效的取向，(2)γ+160°≤β≤γ+200°。

公开(公告)号：CN114586282A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202080073783.X

申请日：2020-10-16

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 野添惣一朗

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17 ,  H03H9/54

Abstract: 弹性波装置具备：压电膜；以及第一谐振器及第二谐振器，位于压电膜的上表面且包括IDT电极，该弹性波装置利用板波。压电膜的厚度比IDT电极的电极指的周期的2倍小。而且，所述电极指的占空比在所述第一谐振器与所述第二谐振器中不同。

公开(公告)号：CN111149296A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880063711.X

申请日：2018-10-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤干 ,  岸野哲也 ,  野添惣一朗

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

Abstract: 本公开的复合基板具备：由钽酸锂晶体构成且欧拉角为(0、α、γ)的第1基板10；以及由与所述第1基板10接合的硅单晶构成且欧拉角为(-45、-54.7、β)的第2基板20，α为-40°～-60°或120°～140°，γ为0°或180°，并且满足以下情况的任一者。(1)为β＝γ±20°以内以及其等效的取向，(2)γ+160°≤β≤γ+200°。

公开(公告)号：CN110832774A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880044598.0

申请日：2018-07-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 野添惣一朗 ,  岸野哲也

IPC: H03H9/25

Abstract: 弹性波元件(1)具备：IDT电极(3)，具备多个电极指(32)并激发声表面波；第一基板(10)，所述IDT电极(3)位于所述第一基板(10)的上表面(10a)且第一基板(10)包含压电晶体；以及第二基板(20)，被接合至所述第一基板(10)的下表面(10b)侧，从所述第一基板(10)的下表面(10b)起朝着上表面(10a)侧连续的第一区域(50x)或者从所述第一基板(10)的下表面(10b)起朝着所述第二基板(20)侧连续的第二区域(50b)中的任一者成为电阻值为5×103Ω以上且5×107Ω以下的低电阻区域(50)。

公开(公告)号：CN110710106A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880036574.0

申请日：2018-07-02

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 岸野哲也 ,  野添惣一朗 ,  伊藤干

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145 ,  H03H9/72

Abstract: 弹性波装置具有基板、位于基板上的多层膜、位于多层膜上的由LiTaO3的单晶体构成的LT层以及位于LT层上的IDT电极。在将IDT电极的电极指的间距p的2倍设为λ时，LT层的厚度为0.3λ以下。LT层的欧拉角为(0°±20°，-5°以上且65°以下，0°±10°)、(-120°±20°，-5°以上且65°以下，0°±10°)或者(120°±20°，-5°以上且65°以下，0°±10°)。将第一层与第二层交替地层叠来构成多层膜(5)。第一层由SiO2构成。所述第二层由Ta2O5、HfO2、ZrO2、TiO2及MgO的任一者构成。