GaN芯片负压控制电路及设备

    公开(公告)号:CN108964425A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810724211.8

    申请日:2018-07-04

    Abstract: 本发明涉及一种GaN芯片负压控制电路及设备。GaN芯片负压控制电路包括比较器电路,漏压关断电路,以及正极分别用于接入负压信号、连接GaN芯片的栅压管脚的二极管;比较器电路包括第一比较器和第二比较器;第一比较器的输出端连接二极管的负极,输入端连接TDD信号端;第二比较器的输入端接入负压信号;漏压关断电路的输入端连接第二比较器的输出端,输出端连接GaN芯片的漏极。基于上述结构,解决GaN芯片的供电时序控制问题,保证栅压开启到芯片工作电压后,漏压才开启,有效保证芯片的正常工作。在不关断漏压的情况下,通过比较器实现由高低电平信号控制栅压从负压到工作电压之间的切换,实现TDD模式下GaN芯片的正常工作。

    一种滤波器指标的调整方法及装置

    公开(公告)号:CN108649925A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810735805.9

    申请日:2018-07-06

    CPC classification number: H03H17/02

    Abstract: 本申请实施例涉及电子技术领域,尤其涉及一种滤波器指标的调整方法及装置。监控模块向信号发生器发送测试命令,测试命令用于指示信号发生器产生向滤波器发送的具有第一功率的第一导频信号,监控模块接收第二导频信号的第二功率,第二功率是信号接收器根据接收到的第二导频信号确定的,监控模块根据第二功率和第一功率确定检测频点的实际指标,若实际指标与检测频点的标准指标之差超出预设范围,则向可调模块发送调整指令,直至检测频点上的实际指标与标准指标之差符合预设范围。由于通过监控模块对可调模块进行调试得到,且完全通过监控模块根据实际指标与检测频点的标准指标之差确定如何调整直至满足要求,可以减少调试过程中的所需的人力资源。

    GaN HEMT偏置电路
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105048969B

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201510416630.1

    申请日:2015-07-15

    CPC classification number: H03F1/02 H03F3/45

    Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT偏置电路,包括第一接地电容组、第一变压器、第二变压器、漏压开关和栅压产生与控制电路,第一接地电容组、第一变压器的输入端、漏压开关的第一输入端与外部电压输入端连接,第二变压器的输入端、栅压产生与控制电路的第一输入端与第一变压器的输出端连接,第二变压器的输出端与栅压产生与控制电路的第二输入端连接,漏压开关的输出端与GaN HEMT的漏极、栅压产生与控制电路的第三输入端连接,漏压开关的第二输入端与栅压产生与控制电路的第一输出端连接,栅压产生与控制电路的第二输出端、第四输入端与GaN HEMT的栅极连接。本发明实现了GaN HEMT电路的自动上、掉电功能,避免了GaN HEMT被大电流烧毁,保障了使用GaN HEMT的无线通信设备正常工作。

    一体化下行系统及其处理方法

    公开(公告)号:CN104052696B

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201410247298.6

    申请日:2014-06-05

    Abstract: 本发明提供一种一体化下行系统及其处理方法,该系统包括依次连接的选频电路、射频预失真电路、功率放大电路和异频合成电路;功率放大电路包括功放单元、耦合单元和隔离单元;功放单元包括Doherty功率放大器;选频电路从输入信号中筛选出各个频段的信号;射频预失真电路分别对筛选出的各个频段的信号和耦合单元产生的耦合信号进行预失真处理;预失真处理后的信号经过功放单元进行功率放大,再顺次通过耦合单元和隔离单元传输至异频合成电路进行合路处理。本发明结合了预失真技术和高效率Doherty功放技术,实现了系统的高线性性能、较宽的瞬时带宽,提高了系统效率;采用一体化的设计,散热良好、成本低,满足了现代通信设备的需求。

    功率放大系统及其处理方法

    公开(公告)号:CN104393844B

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201410587437.X

    申请日:2014-10-27

    Abstract: 本发明提供一种功率放大系统及其处理方法,该系统包括依次连接的信号筛选电路、射频预失真电路、合路电路、Doherty功率放大电路、耦合电路以及反馈选频电路,所述射频预失真电路与所述反馈选频电路连接。本发明的功放系统可支持n(n=2,3,4,……)种频段,带宽宽,体积小、成本低,易于实现。采用射频预失真(RFPD)技术以及多频宽带Doherty技术,实现了系统的高线性性能、高效率性能,而且该功率放大系统无须采用任何宽带A/D、D/A等器件,避免了受限器件的困扰。

    功放模块的辅助控制电路、通信设备及检测方法

    公开(公告)号:CN111141947A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201911380247.X

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 本发明涉及功放模块的辅助控制电路、通信设备及检测方法。功放模块的辅助控制电路包括电流检测芯片、主控芯片、第一电压放大单元和第二电压放大单元。第一电压放大单元的放大倍数大于第二电压放大单元的放大倍数。第一电压放大单元和第二电压放大单元的输入端相连且电连接电流检测芯片的检测输出端。第一电压放大单元的输出端电连接主控芯片的第一测量输入端。第二电压放大单元的输出端电连接主控芯片的第二测量输入端。电流检测芯片的检测输入端用于接入功放模块的功放管供电通路的待测电压。主控芯片用于从第一电压放大单元和第二电压放大单元分别输出的电压信号中,输出设定拐点电压对应的一个电压信号。大幅提升了功放电流检测性能。

    GaN HEMT控制电路
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109462388A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201811230522.5

    申请日:2018-10-22

    CPC classification number: H03K17/6871 H03K2217/0081

    Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT控制电路,包括栅压切换电路,以及连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端;栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路;第一开关电路的第一端接入TDD切换信号,第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端;第二开关电路的第二端连接栅极电压源,第二开关电路的第三端连接栅压端;第三开关电路的第二端连接负电压电源端,第三开关电路的第三端连接栅压端。TDD切换信号可控制第一开关电路的通断,第一开关电路的通断可控制第二开关电路和第三开关电路的通断,能够切换栅压端的电压;基于上述结构,可利用TDD上下行切换信号,控制GaN HEMT的栅极电压,实现GaN HEMT的快速关断与开启。

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