公开(公告)号：CN105849909B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201480071046.0

申请日：2014-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  藤原広和 ,  池田知治 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/047 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种能够使耗尽层在外周区域内更加高速地伸展，从而实现较高的耐压的技术。半导体装置具有元件区域和与元件区域邻接的外周区域，所述元件区域具有绝缘栅型开关元件。在外周区域内形成有第一沟槽与第二沟槽。在第一沟槽与第二沟槽之间形成有第二导电型的表面区域。在第一沟槽的底面上形成有第二导电型的第一底面区域。在第二沟槽的底面上形成有第二导电型的第二底面区域。沿着第一沟槽的侧面而形成有对表面区域和第一底面区域进行连接的第二导电型的第一侧面区域。沿着第二沟槽的侧面而形成有对表面区域和第二底面区域进行连接的第二导电型的第二侧面区域。在第一侧面区域以及第二侧面区域的至少一部分中形成有低面密度区域。

公开(公告)号：CN106233438A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020907.7

申请日：2015-02-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大西彻 ,  大木周平 ,  池田知治 ,  R·MD·塔斯比尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 公开：在通过在蚀刻后对半导体基板进行离子注入而形成扩散层从而制造半导体装置的情况下，能够抑制在制造出的半导体装置之间产生特性不均的技术。半导体装置(2)具有半导体基板(10)。在半导体基板(10)形成有发射区(12)、顶体区(14)、势垒区(16)、底体区(18)、漂移区栅电极(34)。栅电极(34)的表面设置于比半导体基板(10)的表面深的位置。栅电极(34)中的沟槽(30)的宽度方向中央的第1部分(34a)的表面设置于比与栅绝缘膜(32)相接的第2部分(34b)的表面浅的位置。(20)、集电区(22)、沟槽(30)、栅绝缘膜(32)以及