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公开(公告)号:CN101458986A
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200710094446.5
申请日:2007-12-13
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01F7/00 , G01R31/303
Abstract: 本发明公开了一种磁场发生装置,一对磁极相对设置,固定安装在场发生器基座上端面的两端侧;一工作平台,设置在所述极的中间位置;一耐温隔板,设置在所述工作平台上端面,所述耐温隔板的中间位置设有一测试插座;一耐温导气管,可拆卸地罩设所述测试插座,该耐温导气管的顶部可与热量发生系统的端口连接,热量发生系统的端口、耐温导气管和耐温隔板组成一个可以改变温度的腔体,耐温导气管的外壁与磁极的两极面不接触。本发明能够产生全温度范围内测试所需的高分辨率磁场,适用于对线性霍尔传感器芯片进行测试。
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公开(公告)号:CN102981537A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201110261734.1
申请日:2011-09-06
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G05F1/10
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路领域,带反馈电路的高压稳压电路,包括:一外部电源VDD通过电阻R1连接PMOS管M1源极和高压NMOS管M4漏极;PMOS管M1栅极连接其漏极,其漏极连接NMOS管M2漏极,其衬底连接其源极;NMOS管M2栅极连接其漏极,其源极连接NMOS管M3漏极,其衬底连接地;NMOS管M3栅极连接其漏极,其源极连接晶体管D1发射极,其衬底连接地;高压NMOS管M4其栅极连接NMOS管M1源极,通过电阻R2连接NMOS管M5栅极,通过电阻R3连接地,其源极连接内部电源,其衬底连接地;NMOS管M5其漏极连接NMOS管M1源极,其源极连接晶体管D2发射极,其衬底连接地;晶体管D1和D2其各自基极连接其各自集电极后连接地。本发明的高压稳压电路能降低稳压电路功耗,提高稳压电路驱动能力。
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公开(公告)号:CN102130688A
公开(公告)日:2011-07-20
申请号:CN201010027321.2
申请日:2010-01-20
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H03M1/80
Abstract: 本发明公开了一种电阻网络型数模转换器结构,该数模转换器为n位,其中高m位为由电阻R和开关组成的i位R阵列结构,其余位为R-2R梯形网络结构,其中i=2m-1;所述数模转换器还包括译码器,连接在数字输入和所述R阵列之间,用于将n位数字输入中的高m位编码转换为i位编码后控制所述i位R阵列中的开关。本发明的数模转换器,在积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)上都比R-2R型数模转换器有所改善,且处理速度较快。
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公开(公告)号:CN101458986B
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN200710094446.5
申请日:2007-12-13
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01F7/00 , G01R31/303
Abstract: 本发明公开了一种磁场发生装置,一对磁极相对设置,固定安装在场发生器基座上端面的两端侧;一工作平台,设置在所述磁极的中间位置;一耐温隔板,设置在所述工作平台上端面,所述耐温隔板的中间位置设有一测试插座;一耐温导气管,可拆卸地罩设所述测试插座,该耐温导气管的顶部与热量发生系统的端口连接,热量发生系统的端口、耐温导气管和耐温隔板组成一个可以改变温度的腔体,耐温导气管的外壁与磁极的两极面不接触。本发明能够产生全温度范围内测试所需的高分辨率磁场,适用于对线性霍尔传感器芯片进行测试。
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公开(公告)号:CN101464698A
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200710094575.4
申请日:2007-12-19
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G05F1/10
Abstract: 本发明公开了一种电源电路,包括电压嵌位电路,所述电压嵌位电路连接到一个带隙基准电路,所述带隙基准电路参考电压和参考电流连接到一个电压校准电路,所述电压校准电路的校准电压连接到所述带隙基准电路。本发明还公开了一种电源供给方法,先由电压嵌位电路为带隙基准电路提供一个粗略的电源电压,带隙基准电路输出参考电压和参考电流,之后电压校准电路向带隙基准电路输出校准电压并关闭电压嵌位电路,此后带隙基准电路由电压校准电压作为电源电压驱动。本发明通过采用电压嵌位电路对带隙基准电路提供粗略电压的方式,大大简化了电路的结构,降低电源电路的成本,并且实现电源的稳定输出,还具有较快的响应速度。
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