公开(公告)号：CN106463523A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580018795.1

申请日：2015-02-10

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  池田知治 ,  庄司智幸 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置，其具有半导体基板、表面电极、以及背面电极，并且对表面电极与背面电极之间进行开关，且该绝缘栅型半导体装置具有：第一外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上；第二外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上，并与第一外周沟槽相比而较深；第二导电型的第五区域，其露出于第一外周沟槽的底面上；第二导电型的第六区域，其露出于第二外周沟槽的底面上，且表面侧的端部与第五区域的背面侧的端部相比而位于背面侧；第一导电型的第七区域，其使第五区域与第六区域分离。

公开(公告)号：CN106233438A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020907.7

申请日：2015-02-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大西彻 ,  大木周平 ,  池田知治 ,  R·MD·塔斯比尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 公开：在通过在蚀刻后对半导体基板进行离子注入而形成扩散层从而制造半导体装置的情况下，能够抑制在制造出的半导体装置之间产生特性不均的技术。半导体装置(2)具有半导体基板(10)。在半导体基板(10)形成有发射区(12)、顶体区(14)、势垒区(16)、底体区(18)、漂移区栅电极(34)。栅电极(34)的表面设置于比半导体基板(10)的表面深的位置。栅电极(34)中的沟槽(30)的宽度方向中央的第1部分(34a)的表面设置于比与栅绝缘膜(32)相接的第2部分(34b)的表面浅的位置。(20)、集电区(22)、沟槽(30)、栅绝缘膜(32)以及