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公开(公告)号：CN119967963A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411575568.6
申请日：2024-11-06
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/831
Abstract: 提供实现光输出的提高和正向电压的减少的正面朝上型且紫外发光的发光元件。在正面朝上型且发光波长为210nm～300nm且使用了III族氮化物半导体的发光元件中，具备：n型层(11)、设置在n型层之上的活性层(12)、设置在活性层之上的p型层(13)、设置在n型层之上的梳齿状的n侧电极(17)、在p型层之上与该p型层接触地设置且使发光波长的光透过的p侧接触电极(14)、以及设置在p侧接触电极之上的梳齿状的p侧电极(15)，p侧电极具备沿预定方向延伸的多个p侧延伸部(15A)，n侧电极具备沿预定方向延伸且配置于相邻的p侧延伸部之间的多个n侧延伸部(17A)，p侧延伸部与n侧延伸部之间的距离为140μm以下。
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公开(公告)号：CN119677257A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411127986.9
申请日：2024-08-16
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H10H20/832 , H10H20/841 , H10H20/01
Abstract: 提供能够供p侧电极欧姆接触并且能够提高紫外线反射率的发光元件及其制造方法。倒装型且紫外发光的发光元件具有：n型层，其由n型的III族氮化物半导体构成；活性层，其设置在n型层上且由III族氮化物半导体构成；p型层，其设置在活性层之上且由p型的III族氮化物半导体构成；p侧电极，其设置在p型层之上，包含由Ru、Rh或以它们为主成分的合金构成且与p型层接触的层，并且设定为使发光波长的紫外光透过的厚度；绝缘性的DBR层，其与p侧电极的局部接触并设置于p侧电极的局部之上，且反射发光波长的紫外光；以及第二p侧电极，其经由在DBR层中p侧电极之上的区域形成的孔而与p侧电极电连接。
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公开(公告)号：CN118507620A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410168791.2
申请日：2024-02-06
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 提供防止保护膜的剥离、裂缝的UVC的发光元件及其制造方法。发光元件由发光波长为200nm以上且280nm以下的III族氮化物半导体构成，具有：基板；防反射膜，其设置于基板背面；半导体层，其是在基板表面上依次层叠n层、发光层、p层而成的；孔，其设置于p层表面的预定的区域，且深度达到n层；第一p电极，其与p层相接地设置在p层之上；第一n电极，其设置于在孔的底面暴露的n层之上；第二p电极和第二n电极，其分别设置在第一p电极之上和第一n电极之上；以及保护膜，其覆盖元件上表面整体，且由绝缘材料构成，保护膜具有：第一保护膜，其由绝缘材料形成；以及第二保护膜，其形成在第一保护膜上，并由具有内部应力与第一保护膜不同的绝缘材料形成。
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公开(公告)号：CN112997324B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201980074061.3
申请日：2019-12-09
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明的课题在于抑制非发光部中的紫外线的吸收。本发明是一种半导体发光器件，具有：基板，具有第一面；n型半导体层，形成于基板的第一面的上方；发光层，发出紫外线；p型半导体层；以及多个n点电极，与不存在n型半导体层的上部的半导体层的分散地形成的电极形成面接触，接触面具有点电极外周。在发光层中仅形成在与第一面平行的面上具有外周轮廓线的发光区域，以便不存在不发出紫外线的区域，其中，该发光区域是除去p型半导体层、发光层、n型半导体层而留下的发光区域。
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公开(公告)号：CN308749296S
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202330502183.7
申请日：2023-08-08
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：发光二极管的罩。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计的整体产品用作发光二极管；请求局部外观保护的部分用作发光二极管的罩。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
5.其他需要说明的情形其他说明：本申请为局部外观设计，由实线表示的部分为请求权利保护的部分，由虚线表示的部分为不要求权利保护的部分，点划线表示请求保护的局部外观设计部分与其他部分的分界线。
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