公开(公告)号：CN212783508U

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202021312022.9

申请日：2020-07-07

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 年迪青 ,  周浩淼 ,  施胜宾 ,  朱明敏 ,  邱阳 ,  杨浛 ,  郁国良

IPC: H01L43/02

Abstract: 本实用新型公开了一种自旋波传输特征的应力调控单元结构，包括控制层、顶电极、底电极层以及自旋波波导层，所述顶电极以及自旋波波导层设置在控制层上表面，底电极层设置在控制层下表面，控制层为铁电或压电薄膜。本实用新型可以通过电场控制自旋波波导的磁各向异性的连续性改变，可以高效、快速实现对自旋波传输特征的局部精确控制，为超低功耗和传统CMOS工艺流程兼容的磁振子学器件实际应用提供了可能。

公开(公告)号：CN212934164U

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202021578883.1

申请日：2020-08-03

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 施胜宾 ,  周浩淼 ,  邱阳 ,  杨浛 ,  朱明敏 ,  郁国良

IPC: G11C11/22

Abstract: 本实用新型公开了一种基于多铁异质结构的磁畴壁写入单元，包括：底电极层，连接脉冲电压源；压电层，由铁电材料制成，设置于底电极层上；顶电极层，设置于压电层上，包含若干连接脉冲电压源的顶电极；磁性层，与顶电极处在同一层，由铁磁性材料制成，连接赛道存储器；所述底电极层下还设置有衬底层，整个写入单元外还设有保护层，其中磁性层的铁磁性材料具有磁各向异性，且具有磁致伸缩特性。本实用新型利用逆压电效应和磁致伸缩的逆效应，实现高存储密度，低功耗的磁畴壁写入。