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公开(公告)号：CN103447078A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310405420.3
申请日：2013-09-06
Applicant: 中国科学院金属研究所
CPC classification number: Y02P20/52
Abstract: 本发明属于催化剂及其应用技术领域，具体是一种易分离、高水热稳定性、多级孔道结构纳米MFI型分子筛及其制备方法和应用。该方法步骤：（1）选取已制备得到的纳米MFI型分子筛悬浮液作为母液；（2）向母液中加入阳离子絮凝剂对纳米分子筛进行组装；（3）纳米分子筛经组装后装入反应釜水热合成，得到块状尺寸100纳米至100微米的纳米分子筛复合物。纳米分子筛复合物经常规过滤、洗涤、干燥、焙烧，得到多级孔道结构纳米MFI型分子筛。该方法所制备的纳米MFI型分子筛可以通过过滤操作实现分离，纳米MFI型分子筛具有开放晶间孔道结构，孔容大，结晶率高，水热稳定性高，在甲醇制丙烯反应中，表现出较常规方法制备纳米MFI型分子筛更高的丙烯产率与稳定性。
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公开(公告)号：CN102274744B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010199076.3
申请日：2010-06-12
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: B01J29/40 , B01J35/10 , B01J35/04 , B01J37/02 , C04B41/85 , C30B7/10 , C30B29/34 , C07C1/20 , C07C11/00
Abstract: 本发明属于结构催化剂及其应用技术领域，具体为一种多孔碳化硅载体表面单层、b轴取向ZSM-5型沸石涂层材料的制备方法。该结构催化剂以泡沫碳化硅或蜂窝结构碳化硅为载体，载体外表面有一层碳化硅颗粒搭接形成的多孔层，沸石涂层均匀生长于多孔层内。沸石涂层为单层结构，沸石晶体b轴垂直于碳化硅载体表面。该方法预先在碳化硅陶瓷表面原位生长一层晶种胶体，控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量，实现沸石晶体在碳化硅载体表面的可控生长。该结构催化剂孔道开放，分子扩散性能好，比表面积及负载量较大，沸石晶体与碳化硅载体接触面积大，有利于强化传质、传热，缩短反应物与反应产物与催化剂的接触时间。
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公开(公告)号：CN102633531A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210094292.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/632 , C04B35/64 , B01D69/10 , B01D71/02
Abstract: 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法。梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC，由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构；其中，支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成，平均孔径5～120μm，表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成，孔径0.1～20μm，膜管整体气孔率在25～50％之间。制备方法依次包括配料、支撑体成型、膜层制备和烧成，成型采用等静压成型，成型压力控制为40～150MPa，烧成温度控制为1500～2400℃，保温时间0.5～5小时，易于实现，能够保证产品性能。本发明可在氧化气氛下使用，也可以在还原气氛下使用，耐酸、碱腐蚀性能强，可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。
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公开(公告)号：CN101555161B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200810010983.1
申请日：2008-04-11
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C04B41/80
Abstract: 本发明涉及泡沫陶瓷材料及材料表面改性领域，具体指一种用于提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面改性方法。该方法包括：(1) 将碳化硅泡沫陶瓷在1150-1300℃下预氧化处理10-80小时；(2) 经步骤(1)处理的碳化硅泡沫陶瓷不经降温过程，换以清洁的惰性气氛，继续在1150-1300℃温度下保温处理50-150小时，然后缓慢冷却至室温。本发明所述方法操作简单、成本低廉、适应性强，对原始材料状态要求低、可靠性高，可应用于各种孔径的碳化硅泡沫陶瓷。
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公开(公告)号：CN102218293A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010219988.2
申请日：2010-06-25
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及规整填料领域，具体为一种碳化硅泡沫陶瓷波纹规整填料及其制备方法和应用。该填料为具有波纹几何形状的碳化硅泡沫陶瓷填料单元板叠加组合而成，填料单元板为具有三维连通网络结构碳化硅泡沫陶瓷，泡沫孔径在10PPi～80PPi之间，体积分数可控制在10～70％之间，填料单元板波纹形状是三角形或圆滑波浪形。有机泡沫预先切割成所需要的波纹形状，然后再模压成型或者对辊挤压成型，很好的解决了成型过程中泡沫孔压缩及拉长变形问题，得到的填料单元板泡沫孔形状规则，良好地保持了有机泡沫模版原有的三维网络连通结构。本发明适用于多种分离过程操作，特别适合于难分离物系的分离过程，适应高效率、低能耗的需求，尤其适应于各种强腐蚀物系的分离过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101723709A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810228251.X
申请日：2008-10-24
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及一种表面富硅多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料的制备方法。采用表面富硅多孔碳化硅陶瓷作为载体，使用硅块、石英、硅铝原子比可调的硅铝复合氧化物烧结粉体等固体原料作为硅源或硅铝源，原位水热合成。由于多孔碳化硅陶瓷表面硅层的存在，使分子筛晶体优先在多孔碳化硅陶瓷表面形核，固体硅源或硅铝源的使用使供给晶核长大的硅源或硅铝源释放速度可控。这样制备的分子筛涂层在碳化硅陶瓷载体表面负载均匀，分子筛与多孔碳化硅陶瓷所组成的复合材料具有独特的微孔/大孔结构；分子筛和多孔碳化硅陶瓷之间实现了化学结合，具有高的界面结合强度。该方法工艺简单、操作方便、无需复杂设备，制造成本低，更适合工业化、大批量生产。
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公开(公告)号：CN101580390A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810011412.X
申请日：2008-05-15
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于碳化硅陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种高强度、高导热、低膨胀、抗热冲击性能高、外形尺寸可控的碳化硅陶瓷管状制品及其制备方法。所述碳化硅陶瓷管组织均匀、具有均一管壁厚度，管壁厚度可以控制在0.5～20mm之间，管外径可以在5mm～100mm之间，长度最大只受烧结炉限制，管壁可以为致密结构，也可具有微孔结构；本发明采用有机树脂及SiC粉末为主要原料，利用挤出成型工艺制备管状预制坯体，高压致密均匀化并热解后经反应熔渗烧结成为最终产品。本发明碳化硅陶瓷管状制品具有SiC陶瓷的基本特性，如强度高、热膨胀系数低、高导热、耐化学腐蚀、抗氧化、高温稳定好、抗热冲击能力强等；本发明制备方法工艺简单、操作方便、无需复杂设备，制造成本低。
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公开(公告)号：CN101555164A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810010984.6
申请日：2008-04-11
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及泡沫陶瓷材料及材料表面改性领域，具体指一种用于提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法。该方法包括：第一步，将碳化硅泡沫陶瓷在700～1300℃下预氧化处理1～10小时；第二步，经第一步处理的碳化硅泡沫陶瓷在惰性气氛或者真空下，在离子溅射镀膜机内，利用Al金属靶材，在泡沫陶瓷表面溅射一层金属Al；第三步，经第二步处理的碳化硅泡沫陶瓷在常温空气气氛下放置10～24小时后，在500～1200℃氧化气氛下氧化处理1～20小时，然后再通入Ar或N2保护气体升温至1200～1550℃保温0.5～2小时。本发明在碳化硅泡沫陶瓷表面形成一层致密的抗高温氧化涂层，该种全新的方法具有有效、适应性强、经济可靠的特点。
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公开(公告)号：CN100475994C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610047193.1
申请日：2006-07-14
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C22C1/08
Abstract: 本发明涉及泡沫金属材料领域，具体为一种金属/碳基复合泡沫材料及其制备方法。采用泡沫塑料为基体制作泡沫碳坯料，将泡沫碳加工成型后，在泡沫碳上直接电镀金属层即可得到金属/碳基复合泡沫材料，由泡沫碳和电镀于其表面的金属层构成，按重量百分比计，碳∶金属＝(20～90)∶(80～10)。本发明用电镀方式在泡沫碳骨架表面制备均匀连续的金属层，在保持泡沫碳外形不变的前提下能大幅增强材料的韧性以及导热能力，从而得到一种新型的金属/碳基复合泡沫材料。本发明制备的金属/碳基复合泡沫材料不仅可以用作电子元件的散热器，又可以用于工业和民用换热器，还可作为电极、电子屏蔽、催化及催化剂载体材料，应用于汽车、化工、航空航天等行业。
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公开(公告)号：CN100457683C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510047688.X
申请日：2005-11-11
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C04B35/565 , C04B38/08 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及导电泡沫陶瓷的制备技术，具体地说是电阻率可控的导电碳化硅泡沫陶瓷材料及其制备方法，其中所述碳化硅泡沫陶瓷以多边型封闭环为基本单元，各基本单元相互连接形成三维连通网络；构成多边形封闭环单元的陶瓷筋的相对致密度≥99%；按重量分数计，其成份由80%～96%的碳化硅、10%～2%金属相和10%～2%的硅组成；电阻率的变化范围为：5Ω.cm-0.01Ω.cm。
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